"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование затворных структур типа W/HfO2/Si магнетронным распылением in situ и быстрым термическим отжигом
Богоявленская Е.А., Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Рогожин А.Е.1
1Физико-технологический институт РАН, Москва, Россия
Email: lbhoo@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 апреля 2014 г.

Структуры W(150 nm)/HfO2(5 nm)/Si (100), изготовленные в одном вакуумном цикле методом высокочастотного магнетронного распыления, подверглись быстрому термическому отжигу в аргоне. Установлено, что при температуре отжига 950oC на границе раздела W/HfO2 наблюдается рост оксидной фазы WOx, а на границе раздела HfO2/Si (100) образуется силикатная фаза HfSixOy. При этом общая толщина оксидного слоя превысила на 30% толщину исходной пленки HfO2, а также наблюдалось снижение удельной емкости в области аккумуляции Cmax и диэлектрической проницаемости (от 27 до 23). При температуре отжига 980oC происходило активное взаимодействие вольфрама с HfO2, в результате чего наблюдалось образование неоднородного по составу оксидного слоя HfxSiyWzO и дальнейшее снижение Cmax. Показано, что в структурах W/HfO2/X/Si (100), где X --- нитридный барьерный слой, происходит заметное снижение токов утечки.
  • Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / Отв. ред. А.Л. Асеев и В.А. Гриценко. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. 157 с
  • Robertson J. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. Vol. 28. P. 265--291
  • Jeong S.-W., Kim K.S., You M.T. et al. // J. Korean Phys. Soc. 2005. Vol. 47. P. S401--S403
  • Jiang R., Li Z.-F. // Chin. Phys. Lett. 2009. Vol. 26. N 5. P. 057 101-1--057 101-4
  • Tan T.-T., Liu Zh.-T., Liu W.-T. et al. // Chin. Phys. Lett. 2008. Vol. 25. N 10. P. 3750--3752
  • Kobayashi H., Imamura K., Fukayama K. et al. // Surf. Sci. 2008. Vol. 602. P. 1948--1953
  • Maida O., Fukayama K., Takahashi M. at al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 122 112-1--122 112-3
  • Garcia H., Duenas S., Castan H. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 094 107-1--094 107-7
  • Cho M., Park J., Park H.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 3630-1--3630-3
  • Toledano-Luque M., Lucia M.L., del Prado A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. 191 502-1--191 502-3
  • Preisler E.J., Guha S., Copel M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. P. 6230--6232
  • Inoue T., Suzuki K., Miura H. // Proc. Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2009. P. 198--202
  • Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. и др. // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. Вып. 3--4. С. 89--94
  • Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. и др. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. Вып. 6. С. 418--423
  • Rudakov V.I., Bogoyavlenskaya E.A., Denisenko Yu.I. et al. // Proceedings of SPIE. 2013. Vol. 8700. P. 87000E
  • Yang K.J., Hu C. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1999. Vol. 46. N 7. P. 1500--1501
  • Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 21. С. 48--55
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.