Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах / Отв. ред. А.Л. Асеев и В.А. Гриценко. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2011. 157 с
Robertson J. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. Vol. 28. P. 265--291
Jeong S.-W., Kim K.S., You M.T. et al. // J. Korean Phys. Soc. 2005. Vol. 47. P. S401--S403
Jiang R., Li Z.-F. // Chin. Phys. Lett. 2009. Vol. 26. N 5. P. 057 101-1--057 101-4
Tan T.-T., Liu Zh.-T., Liu W.-T. et al. // Chin. Phys. Lett. 2008. Vol. 25. N 10. P. 3750--3752
Kobayashi H., Imamura K., Fukayama K. et al. // Surf. Sci. 2008. Vol. 602. P. 1948--1953
Maida O., Fukayama K., Takahashi M. at al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 122 112-1--122 112-3
Garcia H., Duenas S., Castan H. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 094 107-1--094 107-7
Cho M., Park J., Park H.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. P. 3630-1--3630-3
Toledano-Luque M., Lucia M.L., del Prado A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. 191 502-1--191 502-3
Preisler E.J., Guha S., Copel M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. P. 6230--6232
Inoue T., Suzuki K., Miura H. // Proc. Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2009. P. 198--202
Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. и др. // Российские нанотехнологии. 2013. Т. 8. Вып. 3--4. С. 89--94
Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. и др. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. Вып. 6. С. 418--423
Rudakov V.I., Bogoyavlenskaya E.A., Denisenko Yu.I. et al. // Proceedings of SPIE. 2013. Vol. 8700. P. 87000E
Yang K.J., Hu C. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1999. Vol. 46. N 7. P. 1500--1501
Рудаков В.И., Богоявленская Е.А., Денисенко Ю.И. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 21. С. 48--55
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.