"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Об условиях возникновения щели, наводимой полупроводниковой подложкой в плотности состояний эпитаксиального графена
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Для описания плотности состояний полупроводниковой подложки использована модель, отвечающая параболическому электронному спектру. В аналитической форме получены критерии возникновения щели/щелей в плотности состояний эпитаксиального графена и ее/их характеристики (ширина, расположение по отношению к запрещенной зоне подложки). Предложен способ экспериментальной проверки полученных результатов.
  • Castro Neto A.H., Guinea F., Peres N.M.R., Novoselov K.S., Geim A.K. // Rev. Mod. Phys. 2008. Vol. 81. N 1. P. 109--162
  • Haas J., de Heer W.A., Conrad E.H. // J. Condens. Matter. 2008. Vol. 20. P. 323 202
  • Wu Y.H., Yu T., Shen Z.X. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 071 301
  • Cooper D.R., D'Anjou B., Ghattamaneni N., Harack B., Hilke M., Horth A., Majlis N., Massicotte M., Vandsburger L., Whiteway E., Yu V. // arXiv: 1110.6557
  • Давыдов С.Ю. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 97--106
  • Давыдов С.Ю. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 2. С. 7--14
  • Haldane F.D.M., Anderson P.W. // Phys. Rev. B. 1976. Vol. 13. N 6. P. 2553--2559
  • Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 592 с
  • Persson C., Lindefelt U. // Mater. Sci. Forum Vols. 1998. Vol. 264--268. Р. 275--278
  • Varshon F., Feng R., Hass J., Li X., Nguen B.N., Naud C., Mallet P., Veuillen J.-Y., Berger C., Conrad E.H., Magaud L. // Phys. Rev. Lett. 2007. V0l. 99. P. 126 805
  • Riedl C., Coletti C., Iwasaki T., Zakharov A.A., Starke U. // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 103. P. 246 804
  • Siegel D.A., Hwang C.G., Fedorov A.V., Lanzara A. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 241 417 (R)
  • Mathieu C., Barrett N., Rault J., Mi Y.Y., Zhang B., de Heer W.A., Berger C., Conrad E.H., Renault O. // arXiv: 1104.1359
  • Srivastava N., He G., Luxmi A., Feensta R.M. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. P. 041 404 (R)
  • Давыдов С.Ю. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 6. С. 718--720
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.