"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Высокочастотный разряд в гелии, используемый для плазмохимического осаждения полупроводниковых пленок из металлоорганических соединений
Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурылев Б.В., Ершов С.Н., Озеров А.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1991 г.

Предложена модель высокочастотного разряда индуктивного типа в гелии при давлении p~1 Тор, используемого для стимуляции газофазной эпитаксии в проточном горизонтальном реакторе из металлоорганических соединений. В результате расчетов получены как кинетика разряда, так и зависимость стационарных концентрации и температуры электронов от давления гелия, мощности, подаваемой на индуктор, концентрации примеси. Показано, что разряд горит лишь в определенном (и довольно узком) интервале давлений, пороговые значения p зависят от мощности и концентрации примеси. Количественная проверка расчетных результатов была проведена в специальных модельных экспериментах по осаждению пленок Те и Cd. Зависимость положения максимума осаждения от мощности, подаваемой на индуктор, совпала с расчетной и позволила определить константы скорости диссоциации электронным ударом молекул Те(СН3)2 и Cd(CH3)2 2.17·10-11 и 8.58·10-11 см3/с соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.