"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О возможности синтеза гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe методом плазмохимического осаждения из МОС
Бенюшис Т.И., Василевский М.И., Гурилев Б.В., Ершов С.Н., Каржин Г.А., Озеров А.Б., Паркер Т.Д.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Сообщается о получении пленок CdxHg1-xTe методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений (МОС), стимулированной высокочастотным плазменным разрядом. Осаждение проводилось на буферные слои CdTe, выращенные тем же методом на GaAs. Использование ВЧ разряда позволило снизить температуру осаждения CdxHg1-xTe до 100oС. Полученные пленки были монокристаллическими, имели зеркальную поверхность и низкую плотность двойников; типичные значения концентрации (n-тип, x=0.2) и подвижности при 77 K составляли соответственно 8· 1016 см-3 и 4· 104 см2/(В · с). Проведенные исследования показали, что процесс роста аналогичен имеющему место при молекулярно-лучевой эпитаксии, а составом пленок можно управлять, меняя температуру подложки или соотношение парциальных давлений исходных МОС. Обсуждается также возможность сочетания данного метода с технологией IMP --- поочередного осаждения слоев CdTe и HgTe с последующим отжигом для получения CdxHg1-xTe заданного состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.