Вышедшие номера
Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si (111)
Коробцов В.В.1, Фидянин О.Н.1, Шапоренко А.П.1, Балашев В.В.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

  1. Ishizaki A., Shiraki J. J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 113. P. 666--671
  2. Kobayashi Y., Shinoda Y., Sugii K. Jap. J. Appl. Phys. 1990. Vol. 29. P. 1004--1008
  3. Houghton R.F., Patel G., Leong W.Y. et al. J. Cryst. Growth. 1987. Vol. 81. P. 326--331
  4. Jakob P., Dumas P., Chabal Y.J. Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59. N 23. P. 2968--2970
  5. Gould G., Irene E.A. J. Electrochem. Soc. 1988. Vol. 135. N 6. P. 1535--1539
  6. Utani K., Suzuki T., Adachi S. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. N 7. P. 3467--3471
  7. Morita Y., Tokumoto H. Mat. Res. Soc. Sympl. Proc. 1992. Vol. 315. P. 491--496
  8. Grundner M., Graf D., Hahn P.O. et al. Solid State Technol. 1991. Vol. 34. N 2. P. 69--75
  9. Watanabe S., Nakayama N., Ito T. Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59. N 12. P. 1458--1460
  10. Chabal Y.J., Higashi G.S., Raghavachari R. et al. J. Vac. Sci. Technol. A.1989. Vol. 7. N 3. P. 2104--2109
  11. Watanabe S., Shigeno M. Jap. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. Pt 1. N 6A. P. 1702--1708
  12. Nenwald V., Hessel N.E., Feltz A. et al. Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. N 11. P. 1307--1309
  13. Ogawa H., Terada N., Sugiyama K. et al. Appl. Surf. Sci. 1992. Vol. 56--58. P. 836--840
  14. Rubloff G.W. J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. Vol. 8. N 3. P. 1857--1863
  15. Engel T. Surf. Sci. Rep. 1993. Vol. 18. N 4. P. 91--144

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.