Размерный эффект в тонком сегнетоэлектрическом слое II. Планарный конденсатор
Вендик О.Г.1, Тер-Мартиросян Л.Т.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Показано, что при расчете погонной емкости планарный конденсатор, образованный на поверхности тонкого сегнетоэлектрического слоя, можно приближенно заменить совокупностью элементарных плоских конденсаторов, емкость каждого из которых можно рассчитать с учетом размерного эффекта. Получены выражения для погонной емкости и эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрического материала планарного конденсатора, зависящих от размеров конденсатора и приложенного поля смещения. Показано, что для более полного использования диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрического материала необходимо выбирать ширину зазора между электродами планарного конденсатора не менее 30 мкм.
- Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г.Вендика. М.: Сов. радио, 1979. 272 с
- Galt D., Price J.C., Beal J.A., Ono R.H. Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63. N 22. P. 3078--3080
- Вендик О.Г., Тер-Мартиросян Л.Т. ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 11. С. 3343--3351
- Вендик О.Г., Мироненко И.Г. ФТТ. 1974. Т. 16. Вып. 11. С. 3445--3451
- Bethe K. Philips. Res. Repts. Suppl. 1970. N 2
- Вендик О.Г., Тер-Мартиросян Л.Т. ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 4. С. наст. вып
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
