Вышедшие номера
Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности
Голубев О.Л.1, Конторович Е.Л.1, Шредник В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Методами полевой электронной и ионной микроскопии исследовалось влияние сильного электрического поля на процессы, протекающие в бинарных системах адсорбат-адсорбент: Si-W, Be-W, Ni-W и Si-Ir. В случае Si-W, Be-W, Si-Ir зарегистрировано влияние поля порядка 107 В/см (при нагреве, достаточном для активной поверхностной диффузии адсорбата) на реконструкцию поверхности подложки, начальные стадии кристаллического роста и (особенно в случае Si-Ir) химическую реакцию в твердой фазе. Наиболее подробно изучена система Si-W, где по величине испаряющего поля определено участие Si в растущих кристаллических образованиях, а по ионным изображениям с атомным разрешением выявлена структура этих образований, типичная для чистого вольфрама. Основное отличие процессов, протекающих в присутствии поля, от случая, когда поле отсутствует, состоит в том, что атомы подложки - тугоплавкого металла активно участвуют в процессе объемного кристаллического роста. При этом для Si-W и Be-W показано, что реконструируются плоские сетки и грани типа 110 наиболее плотноупакованные и обычно наиболее устойчивые, а в случае системы Si-Ir реконструируются относительно рыхлые грани типа 113. Тем самым на разнообразных системах выявлено существенное влияние внешнего электрического поля на межатомные связи в приповерхностных областях.
  1. Мюллер Э.В., Цонг Т.Т. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевой испарение. М.: Наука, 1980
  2. Muller E.W. 15 FESymposium. Bonn, 1968
  3. Brenner S.S. 16 FESymposium. Pittsburg, 1969
  4. Tsong T.T. Phys. Rev. B. 1972. Vol. 6. P. 417
  5. Rendulic K.D. Surf Sci. 1970. Vol. 21. P. 401
  6. Nishikawa O. Utsumi T. J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. P. 945
  7. Muller E.W. Ergebn. d. Exakt. Naturwiss. 1959. Bd 27. S. 290
  8. Мюллер Э.В., Цонь Т.Т. Автоионная микроскопия (принципы и применения). М.: Металлургия, 1974
  9. Зубенко Ю.В., Маринова Ц.С. Bulg. J. Phys. 1974 Vol. 1. N 1. P. 70--79
  10. Комар А.П., Савченко В.П., Шредник В.Н. РиЭ. 1960. N 5. с. 1211
  11. Jones I.P. Nature. 1966. Vol. 211. N 5048. P. T41--T43
  12. Сокольская И.Л. ЖТФ. 1956. Т. 26. Вып. 6. С. 1177
  13. Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. ЖТФ. 1977. Т. 47. Вып. 2. С. 405
  14. Tsong T.T. Analitical Technique for Thin Films / Ed. R. Rosenberg, K.N. Ku. 1988. New York: Academic Press. P. 449
  15. Tsong T.T. Surf. Sci. Rep. 1988. Vol. 8. N 314. P. 127
  16. Muller E.W., Young R.D. J. Appl. Phys. 1961. Vol. 32. P. 2425
  17. Sakurai T., Muller E.W. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. P. 2618
  18. Шредник В.Н. ФТТ. 1959. Т. 1. Вып. 7. С. 1134
  19. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. 41 IFESymposium. Rouen, 1994

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.