Вышедшие номера
Компьютерное моделирование изменения состава сложных и многослойных структур в процессе ионного распыления
Бер Б.Я.1, Журкин Е.Е.1, Меркулов А.В.1, Трушин Ю.В.1, Харламов В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Разработана методика компьютерного моделирования баллистической стадии ионного распыления, позволяющая описывать динамическое изменение состава слоистого материала в результате пространственного наложения каскадов при больших дозах облучения. Методика модифицирована по отношению к алгоритмам существующих динамических программ. В частности, учтено влияние объемов образующихся точечных дефектов и имплантированных ионов на изменение параметров материала в процессе облучения. Проведены тестовые расчеты ионного травления мишеней гомогенного GaAs и GaAs с delta-слоем кремния. Результаты расчетов качественно соответствуют экспериментальным данным по ВИМС профилированию образцов GaAs, delta-легированного кремнием.
  1. Thompson M.W. Defects and Radiation Damage in Metals. Cambridge: University Press, 1969. 367 p
  2. Lehmann Chr. Interaction of Radiation with Solids and Elementary Defects Production. Amsterdam: North-Holland, 1977. 341 p
  3. Бер Б.Я., Меркулов А.В. Научное приборостроение. 1992. Т. 2. С. 31
  4. Biersack J.P., Haggmark L.G. Nucl. Instr. and Meth. 1980. Vol. 174. P. 257
  5. Biersack J.P., Eckstein W. Appl. Phys. 1984. Vol. A34. P. 73
  6. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solid. New York: Pergamon Press, 1985
  7. Biersack J.P. Nucl. Instr. and Meth. 1987. Vol. B27. P. 21
  8. Robinson M.T., Torrens J.M. Phys. Rev. 1974. Vol. B9. P. 5008
  9. Robinson M.T. Sputtering by Particle Bombardment I / ed. R. Behrish. Berlin; Heidelberg; New York: Springer-Verlag, 1981. P. 99
  10. Журкин Е.Е. Материалы XI конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью 1993". Москва, 1993. Т. 3. С. 105
  11. Moller W., Eckstein W. Nucl. Instr. and Meth. 1984. Vol. B2. P. 814
  12. Moller W., Eckstein W. Nucl. Instr. and Meth. 1985. Vol. B7/8. P. 727
  13. Moller W., Eckstein W., Biersack J.P. Comput. Phys. Commun. 1988. Vol. 51. P. 355
  14. Budinov H.I., Karpuzov D.S. Nucl. Instr. and Meth. 1990. Vol. B47. P. 33
  15. Todorov S.S., Chakarov I.R., Karpuzov D.S. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B65. P. 79
  16. Chakarov I.R., Karpuzov D.S., Todorov S.S. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B69. P. 193
  17. Todorov S.S. et al. Surf. Sci. 1992. Vol. 271. P. 641
  18. Shonborn A., Heching N., Te Kaat E.H. Nucl. Instr. and Meth. 1989. Vol. B43. P. 170
  19. Bussman U., Hemment P.L.F. Nucl. Instr. and Meth. 1990. Vol. B47. P. 22
  20. Kim J.H. et al. Nucl. Instr. and Meth. 1992. Vol. B71. P. 271
  21. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  22. Kinchin G.H., Pease R.S. Rep. Progr. Phys. 1955. Vol. 18. P. 1
  23. Betz G., Wehner G.K. Sputtering by Particle Bombardment II / ed. R. Behrisch. Berlin; Heidelberg; New York; Tokyo: Springer-Verlag, 1983. P. 24

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.