"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение электрических и люминесцентных характеристик GaAs при взаимодействии с плазмой CF4
Журавлев К.С.1, Колосанов В.А.1, Плюхин В.Г.1, Шамирзаев Т.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

  • Juang C., Hsu J.K., Yen I.S., Shiau S. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72 (2). P. 4109
  • Pearton S.J., Chakrabarti U.K., Baiocchi F.A. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55 (2). P. 1633
  • Pang S.W. J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133 (4). P. 784
  • Hara T., Suzuki H., Suga A. et al. J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62 (10). P. 4109
  • Мадан А. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. М.: Мир, 1987. 310 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.