Электронно-тепловая генерация дефектов в слабопоглощающем полупроводнике под действием света
Комолов В.Л.1
1Всероссийский научный центр (ГОИ им.С.И.Вавилова),, Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 1 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Обсуждаются особенности протекания рекомбинационно-стимулированных реакций дефектообразования в полупроводнике под действием света с малой энергией кванта (hnu<Eg). Показано, что положительная обратная связь между концентрациями точечных дефектов и электронов проводимости активно способствует дефектообразованию даже при отсутствии заметного разогрева материала. Рассмотренный процесс деолжен учитываться при описании ''эффектов накопления'' в слабопоглощающих полупроводниках и диэлектриках и явлений оптического разрушения прозрачных материалов.
- Френкель Я.И. Zs. f. Phys. 1926. Vol. 37. P. 572
- Бонч-Бруевич А.М., Комолов В.Л., Либенсон М.Н., Румянцев А.Г. ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 1. С. 107
- Ho W.-Y., Walser R.M., Becker M.F. Abstr. Conf. "Laser-induced Damage in Optical Materials". Boulder (Colorado, USA), 1992. P. 52
- Комолов С.Н., Герасимова Н.Б., Климовский А.Б. Лазерная физика. СПб., 1993. Вып. 3. С. 80
- Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. УФН. 1985. Т. 147. N 3. С. 523
- Абакумов В.Н., Пахомов А.А., Яссиевич И.Н., ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 9. С. 1489
- Елисеев П.Г., Завестовская И.А., Соколов С.Н. Вопросы физики полупроводников. Материалы для полупроводниковой электроники АН СССР. Л., 1982. С. 98
- Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. ЖПС. 1983. Т. 38. С. 371
- Винецкий В.Л. ФТТ. 1968. Т. 10. С. 867
- Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
