Исследование влияния на приповерхностную область GaAs нанесения пленок SiO 2, Si 3N 4 и малых доз gamma-излучения методом комбинационного рассеяния света
Васильковский С.А.1, Иванчо И.1
1Институт полупроводников Киев Институт физической электроники Словацкой АН, ЧСФР
Поступила в редакцию: 3 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.
Методом комбинационного рассеяния света исследовалась приповерхностная область GaAs, влияние на нее нанесения диэлектрических пленок (SiO2Si3N4) и gamma-излучения Co60. Нанесение на поверхность GaAs пленок диэлектриков приводит к уширению LO-фононного пика без значительного частотного сдвига. Облучение структур диэлектрик-GaAs gamma-квантами дозами 105 Р для SiO2 и 106 Р для Si3N4 приводит к сужению этих пиков, отсутствующему при других дозах облучения. Это объясняется радиационно-стимулированным упорядочением приповерхностного слоя GaAs. Рассмотрены возможные механизмы дефектообразования, приводящие к уширению LO-фононного пика при нанесении пленок SiO2 различными технологическими методами. В работе также исследовалось влияние времени травления in situ в плазме H2 на приповерхностную область GaAs при нанесении Si3N4 методом магнетронного распыления. Наблюдаемое сужение пика плазмон-LO-фононной моды при облучении gamma-квантами дозой 105 Р структуры n++-i-GaAs связывается с увеличением подвижности (на 20%) в n-слое. Из сравнительного анализа дозовых зависимостей полуширин LO-фононных пиков свободной поверхности GaAs и структур с диэлектриком делается вывод о возможности использования интерфейса диэлектрик-GaAs в качестве эффективного геттера дефектов приповерхностной области GaAs.
- Немошкаленко В.В., Альошин В.Г., Семашко О.М. Вiсник АН УРСР. 1987. N 8. С. 16--26
- Grezzo M., Brown D.M. J. Electrochem. \& Soc. 1973. Vol. 120. N 1. P. 148--164
- Бедный Б.И., Бенедиктов Ю.А., Калинин А.Н., Карпович П.А. Изв. вузов. Физика. 1980. N 3. С. 30--34
- Шалаев А.М., Адаменко А.А. Радиационно-стимулированное изменение электронной структуры. М.: Атомиздат, 1977. 176 с
- Дмитрук М.Л., Конакова Р.В. Вiсник АН УРСР. 1989. N 6. С. 18--30
- Борковская О.Ю. и др. ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 10. С. 1977--1982
- Mooradian A., Wright G.B. Phys. Rev. Lett. 1966. Vol. 16. N 22. P. 999--1001
- Gargouri M., Prevot B., Schwab C. J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 9. P. 3902--3911
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
