Вышедшие номера
Чувствительные элементы преобразователей давления на основе слоистых интеркалированных кристаллов InSe, GaSe и Bi2Te3
Кудринский З.Р.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: kudrynskyi@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Показана принципиальная возможность использования слоистых полупроводниковых кристаллов InSe, GaSe и Bi2Te3 в качестве чувствительных элементов для преобразователей давления. Предложены два способа измерения давления на основе слоистых кристаллов: по зависимости параметра (тока) интеркаляции от давления и по зависимости электродвижущей силы интеркалата от давления.
  1. Медведева З.С. Халькогениды элементов III-B подгруппы периодической системы. М.: Наука, 1968. 216 c
  2. Zhirko Yu., Trachevsky V., Kovalyuk Z. On the possibility of layered crystals application for solid state hydrogen storages --- InSe and GaSe crystals, in book: Hydrogen storage. / Ed. by Jianjun Liu, InTech. 2012. P. 211--242
  3. Ковалюк З.Д., Боледзюк В.Б., Шевчик В.В., Каминский В.М., Шевченко А.Д. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 8. С. 995--998
  4. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Нетяга В.В., Кудринский З.Р., Литвин О.С. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 3. С. 356--368.
  5. Полупроводниковые тензодатчики / Под ред. М Дина. М.: Энергия, 1965
  6. Козьмик И.Д., Григорчак И.И., Ковалюк З.Д., Бахматюк Б.П., Гаврилюк С.В., Товарницкий М.В. // ЖФХ. 1990. Т. 64. Вып. 3. С. 840--843
  7. Боледзюк В.Б., Ковалюк З.Д., Пирля М.М. // Неорг. матер. 2009. Т. 45. Вып. 11. С. 1303--1307
  8. Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. Киев: Наукова думка, 1984. 252 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.