"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Преобразование тепла окружающей среды в электрическую энергию в системе металл--диэлектрик--полупроводник--металл
Лунин Л.С.1, Карапетьян Г.Я.1, Днепровский В.Г.1, Катаев В.Ф.1
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: jorichkaka@rambler.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Основой предлагаемого преобразователя является термоэлектрический конденсатор, представляющий собой систему металл-диэлектрик-полупроводник-металл. В такой системе возможно ненулевое преобразование тепла окружающей среды в электрическую энергию без предварительного создания градиента температур. Зарядка термоэлектрического конденсатора происходит через донный электрод полупроводниковой подложки, а разрядка --- через обогащенный электронами приповерхностный слой, образующийся при зарядке в приповерхностном слое, граничащим с диэлектриком. В этом случае количество поглощенного тепла при зарядке конденсатора в контакте металл--полупроводник оказывается большим, чем выделяющееся тепло при разрядке вследствие того, что контактная разность между донным электродом и полупроводником оказывается больше чем контактная разность между металлом и приповерхностным обогащенным слоем, в котором концентрация электронов значительно больше, чем в объеме полупроводника. В результате то количество поглощенного тепла, которое не выделилось при разрядке, преобразуется в электрическую энергию, согласно закону сохранения энергии.
  1. Днепровский В.Г., Карапетьян Г.Я., Лысенко М.В., Пустовалов Г.А.// Нано и микросистемная техника. 2003. N 9. С. 38--42
  2. Карапетьян Г.Я., Катаев В.Ф. //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2006. N 3. С. 35--36
  3. Карапетьян Г.Я., Катаев В.Ф., Крейс И.А. //Прикаспийский журнал: Управление и высокие технологии. 2009. N 4. С. 90--98
  4. Щенников В.В., Овсянников С.В., Деревсков А.Ю. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 10. С. 1762--1765
  5. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. 479 с
  6. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. М.: Энергия, 1974. 256 с
  7. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. Киев: Наукова думка, 1979. 763 с
  8. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 451 с
  9. Скорняков Г.В. // ЖТФ. 1995. Т. 66. Вып. 1. С. 3--14
  10. Зильберглейт А.С., Скорняков Г.В. //ЖТФ. 1992. Т. 62, Вып. 2. С. 190--195

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.