Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн lambda=1.5-4.3 mum. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы.
- Tonheim C.R., Sudbo A.S., Selvig E., Haakenaasen R. // IEEE Photonic Techn. L. 2011. Vol. 23. P. 36
- Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н., Икусов Д.Г. // ФТП. 2006. Т. 40. С. 1300
- Zanatta J.P., Noel F., Ballet P., Hdadach N., Million A., Destefanis G., Mottin E., Kopp C., Picard E., Hadji E. // J. Electron. Mater. 2003. Vol. 32. P. 602
- Rogalski A. // Infr. Phys. Technol. 2011. Vol. 54. P. 136
- Lusson A., Fuchs F., Marfaing Y. // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 101. P. 673
- Herrmann K.H., Hoerstel W., Mollmann K.-P., Sassenberg U., Tomm J.W. // Semicond. Sci. Technol. 1992. Vol. 7. P. 578
- Chu J., Chang Y. // Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications / Ed. by P. Capper, J.W. Garland. London: John Wiley \& Sons, 2011. P. 227
- Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сорочкин А.В., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 900
- Robin I.C., Taupin M., Derone R., Ballet P., Lusson A. // J. Electron. Mater. 2010. Vol. 39. P. 868
- Zhang X., Shao J., Chen L., Lu X., Guo S., He L., Chu J. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 043 503
- Hadji E., Picard E., Roux C., Molva E., Ferret P. // Opt. Lett. 2000. V. 25. P. 725
- Laurenti J.P., Camassel J., Bouhemadou A., Toulouse B., Legros R., Lusson A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 6454
- Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov V.A., Mikhailov N.N., Sidorov G.Yu., Remesnik V.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. // Phys. Stat. Sol. C. 2010. Vol. 7. P. 1621-1623
- Powell R.E.L., Novikov S.V., Luckert F., Edwards P.R., Akimov A.V., Foxon C.T., Martin R.W., Kent A.J. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 063 517
- Stringfellow G.B. // J. Cryst. Growth. 2010. Vol. 312. P. 735
- Mercaldo L.V., Esposito E.M., Veneri P.D., Rezgui B., Sibai A., Bremond G. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 109. P. 093 512
- Liao Y., Kao C., Thomidis C., Moldawer A., Woodward J., Bhattarai D., Moustakas T.D. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. Vol. 9. P. 798
- Шевченко Е.А., Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Ситникова А.А., Иванов С.В., Торопов А.А. // ФТП. 2012. Т. 46. С. 1022
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
