"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Ремесник В.Г., Варавин В.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Проанализированы спектры высокотемпературной (до 300 K) фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и излучавших при комнатной температуре в диапазоне длин волн lambda=1.5-4.3 mum. Показано, что наблюдение фотолюминесценции узкощелевого полупроводника CdHgTe при высоких температурах и особенности формы ее высокотемпературных спектров могут быть объяснены разупорядочением твердого раствора, как это имеет место, например, в твердых растворах нитридов III группы.
  • Tonheim C.R., Sudbo A.S., Selvig E., Haakenaasen R. // IEEE Photonic Techn. L. 2011. Vol. 23. P. 36
  • Андронов А.А., Ноздрин Ю.Н., Окомельков А.В., Варавин В.С., Смирнов Р.Н., Икусов Д.Г. // ФТП. 2006. Т. 40. С. 1300
  • Zanatta J.P., Noel F., Ballet P., Hdadach N., Million A., Destefanis G., Mottin E., Kopp C., Picard E., Hadji E. // J. Electron. Mater. 2003. Vol. 32. P. 602
  • Rogalski A. // Infr. Phys. Technol. 2011. Vol. 54. P. 136
  • Lusson A., Fuchs F., Marfaing Y. // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 101. P. 673
  • Herrmann K.H., Hoerstel W., Mollmann K.-P., Sassenberg U., Tomm J.W. // Semicond. Sci. Technol. 1992. Vol. 7. P. 578
  • Chu J., Chang Y. // Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications / Ed. by P. Capper, J.W. Garland. London: John Wiley \& Sons, 2011. P. 227
  • Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сорочкин А.В., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 900
  • Robin I.C., Taupin M., Derone R., Ballet P., Lusson A. // J. Electron. Mater. 2010. Vol. 39. P. 868
  • Zhang X., Shao J., Chen L., Lu X., Guo S., He L., Chu J. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 043 503
  • Hadji E., Picard E., Roux C., Molva E., Ferret P. // Opt. Lett. 2000. V. 25. P. 725
  • Laurenti J.P., Camassel J., Bouhemadou A., Toulouse B., Legros R., Lusson A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. P. 6454
  • Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov V.A., Mikhailov N.N., Sidorov G.Yu., Remesnik V.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. // Phys. Stat. Sol. C. 2010. Vol. 7. P. 1621-1623
  • Powell R.E.L., Novikov S.V., Luckert F., Edwards P.R., Akimov A.V., Foxon C.T., Martin R.W., Kent A.J. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 063 517
  • Stringfellow G.B. // J. Cryst. Growth. 2010. Vol. 312. P. 735
  • Mercaldo L.V., Esposito E.M., Veneri P.D., Rezgui B., Sibai A., Bremond G. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 109. P. 093 512
  • Liao Y., Kao C., Thomidis C., Moldawer A., Woodward J., Bhattarai D., Moustakas T.D. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. Vol. 9. P. 798
  • Шевченко Е.А., Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Ситникова А.А., Иванов С.В., Торопов А.А. // ФТП. 2012. Т. 46. С. 1022
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.