"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Кристаллизация и термохромизм в отожженных гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама
Шаповалов В.И., Лапшин А.Е., Комлев А.Е., Арсентьев М.Ю., Комлев А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Приведены результаты исследования кристаллических фаз в гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама, после ступенчатого отжига в вакууме и на воздухе в диапазоне температур 500-750oC. Пленки были осаждены на подложку из кварцевого стекла методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Установлено, что формирование кристаллических фаз в одиночных пленках и двухслойных структурах протекает различным образом. В двухслойных структурах на кристаллизацию оказывает влияние порядок расположения слоев на подложке. Термохромизм в структурах, отожженных в вакууме, обусловлен дефектной по кислороду фазой WO3-x, относящейся к гексагональной сингонии, которая интенсивно развивается при повышении температуры от 650 до 750oC.
  1. Rawal S.K., Chawla A.K., Chawla V. et al. // Appl. Surf. Sci. 2010. Vol. 256. P. 4129--4135
  2. Vorontsov A. V., Kozlov D. V., Smirniotis P.G. et al. // Kinet. Catal. A. 2005. Vol. 46. P. 189--203
  3. Liaoa M.C., Niub H., Chena G.S. // Thin Sol. Films. 2010. Vol. 518. P. 7258--7262
  4. Шаповалов В.И. // ФХС. 2010. Т. 36. N 2. С. 148--193
  5. Masaya M., Afshin E., Masaki N. et al. // Res. Chem. Intermed. 2009. Vol. 35. P. 997--1004
  6. Panda A.B., Laha P., Harish K. et al. // Surf. Coat. Technol. 2010. Vol. 205. P. 1611--1617
  7. Takahashi T., Nakabayashi H., Yamada N. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21. P. 1409--1413
  8. Тутов Е.А., Кукуев В.И., Баев А.А. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 7. С. 117--124
  9. Chiang J.-L., Jan S.-S., Chou J.-C. et al. // Sens. Actuat. B. 2011. Vol. 76. P. 624--628
  10. Shen Y., Yamazaki T., Liu Z. et al. // Thin Sol. Films. 2009. Vol. 517. P. 2069--2072
  11. Riecha I., Acosta M., Pena J.L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2010. Vol. 28. P. 329--333.
  12. Sauvet K., Sauques L., Rougier A. // J. Phys. Chem. Sol. 2010. Vol. 71. P. 696--699
  13. Sauvet K., Sauques L., Rougier A. // Sol. Energ. Mater. Sol. Cells. 2009. Vol. 93. P. 2045--2049
  14. Sauvet K., Rougier A., Sauques L. // Sol. Energ. Mater. Sol. Cells. 2008. Vol. 92. P. 209--215
  15. Su D., Wang J., Tang Y. et al. // Chem. Commun. 2011. Vol. 47. P. 4231--4233
  16. He J., Cai Q.Z., Zhu D. et al. // Curr. Appl. Phys. 2011. Vol. 11. P. 98--100
  17. Faia P.M., Ferreira A.J., Furtado C.S. // Sens. Actuat. B: Chem. 2009. Vol. 140. P. 128--133
  18. Miyauchi M. // J. Mater. Chem. 2008. Vol. 18. P. 1858--1864
  19. Галямов Б.Ш., Обвинцева И.Е., Рогинская Ю.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. Вып. 2. С. 74--77
  20. Hou Y.-Q., Zhuang D.-M., Zhang G. et al. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 218. P. 98--106
  21. Sirghi L., Hatanaka Y. // Surf. Sci. 2003. Vol. 530. P. 323--327
  22. Zywitzki O., Modes T., Sahm H. et al. // Sur. Coat. Technol. 2004. Vol. 180--181. P. 538--543
  23. Martinez A.I., Acosta D.R., Lopez A.A. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. Vol. 16. P. 2335--2344
  24. Zhang W., Li Y., Zhu S. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21. P. 1877--1882
  25. Wenjie Z., Ying L., Shenglong Z. et al. // Surf. Coat. Technol. A. 2004. Vol. 182. P. 192--198
  26. Zhang W., Li Y., Zhu S. et al. // Chem. Phys. Lett. 2003. Vol. 373. P. 333--337
  27. Гончаров А.А., Евсюков А.Н., Костин Е.Г. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 8. С. 127--135
  28. Cui H.N., Costa M.F., Teixeira V. et al. // Surf. Sci. 2003. Vol. 532--535. P. 1127--1131
  29. Ke M.-T., Lee M.-T., Lee C.-Y. et al. // Sensors. 2009. Vol. 9. P. 2895--2906
  30. Bendahan M., Boulmani R., Seguin J.L. et al. // Sens. Actuat. B. 2004. Vol. 100. P. 320--324
  31. Gullapalli S.K., Vemuri R.S., Ramana C.V. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 96. P. 171 903
  32. Bathe S.R., Patil P.S. // Sol. Stat. Ionics. 2008. Vol. 179. P. 314--323
  33. Berggren L., Jonsson J.C., Niklasson G.A. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 083 538
  34. Karuppasamy A., Subrahmanyam A. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 113 522
  35. Chen X., Wang X., Hou Y. et al. // J. Catal. 2008. Vol. 255. P. 59--67
  36. Логачева В.А., Лукин А.Н., Ховив А.М. // ЖНХ. 2007. Т. 52. N 8. С. 1284--1288
  37. Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 383--389
  38. Comini E., Sberveglieri G., Guidi V. // Sens. Actuat. 2000. Vol. 70. P. 108--114
  39. Higashimoto S., Sakiyama M., Azuma M. // Thin Sol. Films. 2006. Vol. 503. P. 201--206
  40. Lethy K.J., Beena D., Mahadevan Pillai V.P. et al. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 033 515
  41. Комлев А.Е., Лапшин А.Е., Магдысюк О.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. Вып. 20. С. 29--34
  42. Шаповалов В.И., Лапшин А.Е., Комлев А.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 12. С. 8--16
  43. Barybin A.A., Shapovalov V.I. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 054 905-1-10
  44. Кукуев В.И., Тутов Е.А., Домашевская Э.П. и др. // ЖТФ. 1987. Т. 65. Вып. 7. С. 1957--1961
  45. Kleperis J.J., Cikmach P.D., Lusis A.R. // Phys. Stat. Sol. A. 1984. Vol. 83. P. 291--297
  46. Гаврилюк А.И., Прохватилов В.Г., Чудновский Ф.А. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 4. С. 982--992.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.