Индуцированная термической обработкой "примесная" краевая фотопроводимость кристаллов CdS
Батырев A.C.1, Бисенгалиев P.А.1, Лиджиев Б.С.1, Сумьянова E.B.1
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
Email: task99@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Исследовано влияние закалки на спектры краевой фотопроводимости "совершенных" кристаллов CdS, измеренные при комнатной температуре и температуре кипения жидкого азота (T = 77 K). Установлено, что закалка приводит к спектрально-неоднородному росту фоточувствительности полупроводника с преобладанием эффекта в "примесной" краевой области спектра. Предполагается связь этого эффекта с термостимулированным распадом собственно-дефектных нанокластеров.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
- Акимова И.В., Козловский В.И., Коростелин Ю.В. и др. // Тр. ФИАН. 1987. Т. 177. C. 142-171
- Насибов А.С., Печенов А.Н., Решетов В.И. // Тр. ФИАН. 1991. Т. 202. С. 68-88
- Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. 352 с
- Логинов Ю.Ю., Браун П.Д., Дюроуз К. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках АIIВVI. М.: Логос, 2003. 304 с
- Сб. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова Новосибирск: Наука, 1977. 256 с
- Васильев А.В., Баранов А.И. Дефектно-примесные реакции в полупроводниках. Новосибирск: СО РАН, 2001. 256 с
- Evangelisti F., Frova A., Patella F. // Phys. Rev. В. 1974. Vol. 10. N 10. P. 4253-4261
- Wright C., Boer K.W. // Phys. Stat. Sol. 1970. Vol. 38. P. k51-k55
- Батырев A.C., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С, Сумьянова Е.В. // Труды X Междунар. конф. "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Ульяновск: УлГУ, 2008. C. 54
- Батырев А.С., Карасенко Н.В., Новиков Б.В. // Вестн. СПбГУ. 1994. Сер. 4. Вып. 1. N 4. С. 28-33
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Ботов О.Э., Карасенко Н.В., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 5. С. 941-943
- Батырев А.С., Батырев Э.Д., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 7. С. 1181-184
- Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. СПб.: СПбГУ, 2003. 244 с
- Bragagnolo J.A., Storti G.M., Boer K.W. // Phys. Stat. Sol. A. 1974. Vol. 22. P. 639-646
- Uchida I.J. // Phys. Soc. Jap. 1967. Vol. 22. N 3. P. 770-778
- Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. // ФТТ. 1959. Т. 1. Вып. 3. С. 357-362
- Bragagnolo J.A., Boer K.W. // Phys. Stat. Sol. A. 1974. Vol. 21. P. 291-302
- Bragagnolo J.A., Wright C., Boer K.W. // Phys. Stat. Sol. A. 1974. Vol. 24. P. 147-158
- Kazlauskas A., Gavryushin V., Raciukaitis G., Makienko O. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 146. P. 59-64
- Boyn R. // Phys. Stat. Sol. 1968. Vol. 29. Р. 307-321
- Крюкова И.В., Теплицкий В.А., Шульга Е.П., Джумаев Б.Р., Корсунская Н.Е. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 6. С. 1054-1062
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читыров Э.И. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 11. С. 1961-1967
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
