"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние лазерного облучения на структуру и свойства столбчатых диэлектрических кластеров в сверхпроводящих пленках YBaCuO
Окунев В.Д., Самойленко З.А., Lewandowski S.J., Дьяченко Т.А., Исаев В.А., Пушенко Е.И., Варюхин В.Н., Gierlowski P., Barbanera S.1
1Istituto di Electronica dello Stato Solido-Consiglio Nazionale delle Ricerche, 42-- Roma, Italy
Поступила в редакцию: 19 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 22 января 2013 г.

Исследовано влияние лазерного облучения на структуру и свойства эпитаксиальных сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7-delta (Tc=90-91 K), выращенных на подложках SrTiO3 и LaAlO3 и имеющих систему пирамидальных выступов, встроенных в основной монокристаллической структуре пленок с ориентацией системы плоскостей ( 00l), параллельных поверхности подложки. Показано, что выступы представляют собой ростовые дефекты, являющиеся результатом релаксации накапливающихся напряжений за счет несоответствия кристаллографических параметров растущих слоев пленки и подложки. Возникающие в результате релаксации напряжений островки структуры приобретают ориентацию (11l) или (10l) и растут вверх над пленкой, прорастая сквозь ее слои. Показано, что с помощью лазерного облучения в режиме коротких импульсов можно модифицировать структуру диэлектрических кластеров и сгладить рельеф поверхности пленок при незначительном (на 5-10%) уменьшении концентрации сверхпроводящей фазы. Увеличение плотности энергии выше 100 mJ/cm2 и количества импульсов выше пяти вызывает увеличение объема диэлектрических фаз и ухудшение параметров образцов.
  • Самойленков С. Сверхпроводники в электроэнергетике. Бюл. РНЦ "Курчатовский институт". 2007. Т. 4. Вып. 1
  • Namba M., Awaji S., Watanabe K., Ito S., Aoyagi E., Kai H., Mukaida M., Kita R. // Phys. C: Superconductivity. 2009. Vol. 469. N 15--20. P. 1404--1409
  • Maiorov B., Wang H., Foltyn S.R., Li Y., DePaula R., Stan L., Arendt P.N., Civale L. // Supercond. Sci. Technol. 2006. Vol. 19. N 9. P. 891--895
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 13. P. 1949--1951
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Svistunov V.M., Abal'oshev A., Dinowska E., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 10. P. 7282--7290
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A., Abal'osheva I., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J., Varyukhin V.N., Barbanera S. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. N 1. P. 696--701
  • Stranski I.N., von Krastanow L. // Akad. Wiss. Let. Mainz. Math. Nathur. 1939. Vol. 146. P. 797--810
  • Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 5. С. 513--522
  • Цырлин Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Голубок А.О., Комяк Н.И., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Бимберг Д. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 8. С. 10--15
  • Ramesh R., Inam A., Bonner W.A., England P., Wilkens B.J., Meagher B.J., Nazar L., Wu X.D., Hegde M.S., Chang C.C., Venkatesan T., Padamsee H. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55. N 11. P. 1138--1140
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A., Baran M., Berkowski M., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Szewczyk A., Szymczak H., Szymczak R. // Phys. Lett. A. 2004. Vol. 325. P. 79
  • Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Pafomov N.N., Plehov A.L., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Lewandowski S.J., Gier owski P., Abal'oshev A. // Phys. Lett. A. 2004. Vol. 332. P. 275
  • Balestrino G., Barbanera S., Castellano G., Foglietti V., Giammatteo M., Liu Y.L., Paroli P., Scarinci F. // Mater. Res. Bull. 1988. Vol. 23. N 8. P. 1119--1125
  • Scheel H.J., Licci F. // J. Cryst. Growth. 1987. Vol. 85. N 3--4. P. 607--614
  • Окунев В.Д., Самойленко З.А., Дьяченко Т.А., Szymczak R., Lewandowski S.J., Szymczak H., Baran M., Gier owski P. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 10. С. 1831--1840
  • Самойленко З.А., Окунев В.Д., Пушенко Е.И., Дьяченко Т.А., Черенков А., Gier owski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 2. С. 118--124
  • Окунев В.Д., Самойленко З.А., Шимчак Р., Левандовский С.И. // ЖЭТФ. 2005. Т. 128. Вып. 1 (7). С. 150--167
  • Sze S.M. // Phys. Semiconductors. Wiley: N. Y., 1981
  • Kakinuma K., Fueki K. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56. N 6. P. 3494--3507
  • Geserich H.P., Schreiber G., Geerk J., Li H.C., Linker G., Assmus W., Weber W. // Europhys. Lett. 1988. Vol. 6. N 3. P. 277--282
  • Salamon D., Ran Liu, Klein M.V., Karlow M.A., Cooper S.L., Cheong S.-W., Lee W.C., Ginsberg D.M. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. N 10. P. 6617--6633.
  • Byn R., Wruck D., Merbach M., Muller J.-P. // Physica. C. 1994. Vol. 228. N 1, 2. P. 49--57
  • Humlicek J., Schmidt E., Bocanek L., Garriga M., Cardona M. // Sol. Stat. Commun. 1990. Vol. 73. N 2. P. 127--130.
  • Еременко В.В., Самоваров В.Н., Свищев В.Н., Вакула В.Л., Либин М.Ю., Уютнов С.А. // ФНТ. 2000. Т. 26. Вып. 8. С. 739--754
  • Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Исаев В.А., Дьяченко Т.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 1. С. 150--154
  • Окунев В.Д., Самойленко З.А., Исаев В.А., Klimov A., Lewandowski S.J. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 2. С. 12--20
  • Kelly M.K., Barboux P., Tarascon J.-M., Aspnes D.E. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. N 10. P. 6797--6805
  • Сухарева Т.В., Еременко В.В. // ФТТ. 1997. Т. 39. Вып. 10. С. 1739--1746
  • Окунев В.Д., Исаев В.А., Gier owski P., Klimov A., Lewandowski S.J. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 14. С. 2.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.