Вышедшие номера
Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B4C
Копылец И.А., Кондратенко В.В., Зубарев Е.Н., Рощупкин Д.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-Kalpha-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B4C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4±0.7 g/cm3 и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B4C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме.