Исследована динамика отражательной способности на lambda=0.53 mum и ИК-излучения кремния в интервале длин волн 0.9-1.2 mum в условиях наносекундного воздействия импульсов излучения рубинового лазера. При плотностях энергии облучения W ниже порога лазерно-индуцированного плавления поверхности полупроводникового кристалла подавляющий вклад в испускаемое им ИК-излучение облусловлен краевой фотолюминесценцией. С превышением порога плавления в наносекундной динамике детектируемого ИК-излучения наблюдается переход от фотолюминесценции к тепловому излучению образующегося расплава Si-фазы повышенной отражательной способности. Результаты пирометрических измерений пиковой температуры поверхности расплава в зависимости от W, получение на эффективной длине волны lambda_e=1.04 mum детектриуемого ИК-излучения, согласуются с данными аналогичных измерений на lambda_e=0.53 и 0.86 mum.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.