Вышедшие номера
Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.

При значительных концентрациях радиационных дефектов для детекторов на основе широкозонных материалов характерен эффект поляризации. Появление в объеме детектора ЭДС связано с долговременным захватом носителей заряда на глубокие уровни радиационных центров. Экспериментально установлены характер кинетики и величина напряженности поля поляризации. Повышением температуры возможно регулировать захват и достичь при "оптимальной" температуре компромисса между величиной генерационного тока и положением наиболее глубокого из уровней, чей вклад в потери заряда путем захвата носителей пренебрежимо мал. Оказалось, что глубина такого рода уровня (отнесенная к ширине запрещенной зоны) близка к значению 1/3 независимо от материала. Значения температур для материалов строго индивидуальны.