"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов lambda=3.85-3.95 mum на основе InAsSb в интервале температур 20-200oC
Петухов А.А.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey-rus29@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Приведены результаты исследоания зависимости электрических и электролюминесцентных свойств светодиодов на основе гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP (lambda~ 3.8-4 mum) от температуры (20-200oC). Показано, что уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено, главным образом, ростом скорости оже-рекомбинации. Изменение положения максимума спектра излучения с температурой носит немонотонный характер, поскольку наблюдается излучательная рекомбинация как в активной области, так и в широкозонном слое. При комнатной температуре протекание тока через гетероструктуру определяется туннельным механизмом независимо от полярности приложенного напряжения. С увеличением температуры при прямом смещении проявляется термическая эмиссия носителей заряда, а при обратном --- растет роль диффузионного тока.
  • Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 11. С. 1281-1311
  • Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь. Н.М., Талалакин Г.Н. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 1. С. 102-105
  • Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Советское радио, 1979. 232 с
  • Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987. 177 с
  • Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. 686 с
  • Астахова А.П., Головин А.С., Ильинская Н.Д., Калинина К.В., Кижаев С.С., Серебренникова О.Ю., Стоянов Н.Д., Harvath Zs.J., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 2. С. 278-284
  • Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь. Н.М., Талалакин Г.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 12. С. 1431-1433
  • Duncan W.J., Ali A.S.M., Marsh E.M., Spurdens P.C. // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 143. P. 155-161
  • Абакумов В.Н., Перель В.И., Ясиневич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб.: ПИЯФ, 1997. 375 с
  • Mikhailova M.P. Handbook Series on Semiconductor Parameters / Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Vol. 2. London: World Scientific, 1999. 208 c
  • Adachi S.J. // Appl. Phys. 1987. Vol. 61 (10). P. 4869-4876
  • Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь. Н.М., Талалакин Г.Н. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 5. С. 619-625
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.