"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме
Сопинский Н.В.1, Хомченко В.С.1, Литвин О.С.1, Савин А.К.1, Семененко Н.А.1, Евтух А.А.1, Соболевский В.П.1, Ольховик Г.П.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sopinsky@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 28 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Представлены результаты исследований свойств низкорефрактивных углеродных пленок, нанесенных технологией близкого переноса при сублимации графита в закрытом объеме. При помощи метода монохроматической многоугловой эллипсометрии исследованы оптические свойства пленок, а по методу атомно-силовой микроскопии --- морфология их поверхности. Установлено, что пленки имеют столбчатую структуру с базовой шероховатостью поверхности ~1 nm, кроме того, на поверхности пленки присутствуют отдельные островки сечением основы ~200 nm и высотой до 50 nm. Показано, что осаждение низкорефрактивной углеродной пленки по методу близкого переноса на поверхность кремниевых острий приводит к снижению порога электронной полевой эмиссии и резкому росту величины тока.
  • Lifshitz Y. // Diamond Relat. Mater. 1996. Vol. 5. N 3-5. P. 388--400
  • Camino D., Jones A.H.S., Mercs D., Teer D.G. // Vacuum. 1999. Vol. 52. P. 125--131
  • Литовченко В.Г. // Фiзика i хiмiя твердого тiла. 2004. Т. 5. N 1. С. 9--15
  • Семикина Т.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев). 2006. Вып. 41. С. 121--129
  • Попов А.И., Воронцов В.А. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 6. С. 665--670
  • Хомченко В.С., Сопинский Н.В., Савин А.К., Литвин О.С., Заяц Н.С., Хачатрян В.Б., Корчевой А.А. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 6. С. 84--89
  • Siegal M.P., Overmyer D.L., Provencio P.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 5. P. 2171--2173
  • Satyanarayana B.S., Robertson J., Milne W.I. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 6. P. 3126--3131
  • Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 582 с
  • Сопинский Н.В. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. Вып. 1. С. 41--46
  • Sopinskyy M.V., Shepelyavyi P.E., Stronski A.V., Venger E.F. // J. Opt. Adv. Mater. 2005. Vol. 7. N 5. P. 2255--2266
  • Семененко Н.А. Эмиссионные свойства кремниевых и углеродных нанокомпозитных пленок. Автореф. канд. дис. Киев, 2008. 148 с
  • Головань Л.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. // Кристаллография. 2007. Т. 52. Вып. 4. С. 697--710
  • Litovchenko V., Evtukh A., Kryuchenko Yu., Goncharuk N., Yilmazoglu O., Mutamba K., Hartnagel H.L., Pavlidis D. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. N 1. P. 866--877
  • Евтух А.А., Клюй Н.И., Литовченко В.Г., Лукьянов А.Н., Мовчан Б.О., Пирятинский Ю.П. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев). 2006. Вып. 41. С. 100--107
  • Эвтух А.А., Клюй М.I., Крушинська Л.А., Курапов Ю.А., Литовченко В.Г., Лук'янов А.М., Мовчан Б.О., Семененко М.О. // Укр. фiз. журн. 2008. Т. 53. N 2. С. 179--186
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.