Вышедшие номера
Особенности формирования пленки Fe3O4 на поверхности Si(111), покрытой тонким слоем SiO2
Балашев В.В., Коробцов В.В., Писаренко Т.А., Чеботкевич Л.А.1
1Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета, Владивосток, Россия
Email: balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Используя различные способы окисления Fe на поверхности Si(111), покрытой тонким (1.5 nm) слоем SiO2, были выращены поликристаллические пленки магнетита. Установлено влияние дефектов пленки SiO2 на процесс силицидообразования при нагреве пленки Fe. Обнаружено, что окисление пленки Fe при высокой температуре приводит как к образованию Fe3O4, так и моносилицида железа. С другой стороны, осаждение Fe в атмосфере O2 при высокой температуре приводит к росту на поверхности SiO2 однородной по составу пленки Fe3O4. Обнаружено, что данный метод синтеза приводит к формированию в пленке магнетита [311]-текстуры, ось которой нормальна поверхности. Проведено исследование влияния метода формирования на магнитные свойства выращенных пленок Fe3O4. Высокое значение коэрцитивной силы пленок Fe3O4, сформированных путем окисления пленки Fe, обусловлено морфологическими особенностями и неоднородностью состава пленки магнетита.
  1. Zhang Z., Satpathy // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44. N 24. P. 13 319--13 331
  2. Parames M.L., Mariano J., Viskadourakis Z., Popovici N., Rogalski M.S., Giapintzakis J., Conde O. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 252. P. 4610--4614
  3. Tiwari S., Prakash R., Choudhary R.J., Phase D.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 4943--4952
  4. Jain S., Adeyeye A.O., Boothroyd C.B. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 093 713--093 719
  5. Boothman C., Sanchez A.M., van Dijken S. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 123 903--123 910
  6. Jain S., Adeyeye A.O., Dai D.Y. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 11. P. 7237--7239
  7. Wang X., Sui Y., Tang J., Wang C., Zhang X., Lu Z., Liu Z., Su W., Wei X., Yu R. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 012 122--012 124
  8. Taniyama T., Mori T., Watanabe K., Wada E., Itoh M., Yanagihara H. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 07D705--07D708
  9. Kennedy R.J., Stamp P.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. 16--21
  10. Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133. N 4. P. 666--671
  11. Minami N., Makino D., Matsumura T., Egawa C., Sato T., Ota K., Ino S. // Surf. Sci. 2002. Vol. 514. P. 211--215
  12. Andrieu S., Frechard P. // Surf. Sci. 1996. Vol. 360. P. 289--296
  13. Derrien J., Chevrier J., Le Thanh Vinh, Berbezier I., Giannini C., Lagomarsino S., Grimaldi M.G. // Apl. Surf. Sci. 1993. Vol. 73. P. 90--101
  14. Verwey E.J.W., Heilmann E.L. // J. Chem. Phys. 1947. Vol. 15. P. 174--180
  15. Verbe J.L. // Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. N 12. P. 5236--5248
  16. Balashev V.V., Korobtsov V.V., Pisarenko T.A., Chusovitin E.A. // Phys. Sol. State. 2009. Vol. 51. N 3. P. 601--607
  17. Nyhus P., Cooper S.L., Fisk Z. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. N 21. P. 15 626--15 629
  18. Litvinov D., O'Donnell T., Roy R. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. P. 2151--2156
  19. Lu Y.X., Claydon J.S., Xu Y.B., Thompson S.M., Wilson K., van der Laan G. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 233 304--233 307
  20. Chih-Huang Lai, Po-Hsiang Huang, Ye-Jen Wang // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. P. 7222--7224
  21. Zhang G., Fan C., Pan L., Wang F., Wu P., Qiu H., Gu Y., Zhang Y. // J. Magn. Magn. Mater. 2005. Vol. 293. P. 737--745
  22. Chamritski I., Burns G. // J. Phys. Chem. B. 2005. Vol. 109. P. 4965--4968
  23. Kim Y., Oliveria M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 1. P. 431--437
  24. Barna P.B., Adamik M. Science and Technology of Thin Films / D. by F. C. Matacotta, G. Ottaviani. Singapore: World Scientific, 1995. Part 1. P. 1--29
  25. Clemett S.J., Thomas-Keprta K.L., Shimmin J., Morphew M., McIntosh J.R., Bazylinski D.A., Kirschvink J.L., Wentworth S.J., McKay D.S., Vali H., Gibson E.K.Jr., Romanek C.S. // Am. Mineralogist. 2002. Vol. 87. P. 1727--1730
  26. Mi W.B., Hui Liu, Li Z.Q., Wu P., Jiang E.Y., Bai H.L. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. 5109--5115
  27. Chen Y.Z., Sun J.R., Han Y.N., Xie X.Y., Shen J., Rong C.B., He S.L., Shen B.G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 07D703--07D705
  28. Tang J., Wang K.-Y., Zhou W. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 11. P. 7690--7692
  29. Malyutin V.I., Osukhovskii V.E., Ivanov A.A., Chebotkevich L.A., Lobov I.V., Vorobiev Yu.D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. Vol. 93. P. 585--595
  30. Li S.P., Samand A., Lew W.S., Xu Y.B., Bland J.A.C. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. N 10. P. 6871--6875

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.