Вышедшие номера
Высоковольтный быстрый диод с "мягким" восстановлением
Грехов И.В., Рожков А.В., Костина Л.С., Коновалов А.В., Фоменко Ю.Л.1
1ЗАО "ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Высоковольтные быстродействующие кремниевые p+Nn+-диоды, используемые практически во всех современных преобразователях электроэнергии, должны иметь малое остаточное напряжение в проводящем состоянии и в то же время быстро переключаться с малыми коммутационными потерями в запертое состояние, не создавая при этом всплесков перенапряжения. Такое сочетание параметров обеспечивается обычно путем создания профильного распределения концентрации рекомбинационных центров в N-базе с максимумом у p+N-перехода. Подобное распределение создается с помощью облучения в вакууме p+Nn+-диода со стороны p+N-перехода протонами либо alpha-частицами. Приведены результаты исследования диодов, в которых профильное распределение центров получено более простым и производительным методом облучения электронами в определенном диапазоне энергий на воздухе. На примере приборов разработанной авторами конструкции с блокируемым напряжением до 5 kV показано, что все динамические характеристики диодов соответствуют мировому уровню, а остаточное напряжение в проводящем состоянии при рабочей плотности тока примерно на 30% меньше.
  1. Ogura T., Nonomiga H., Sugiyama K., Inoue T. // IEEE Trans. El. Dev. 2004. Vol. 5. N 4. P. 629--635
  2. Schlangennotto H., Serafin J., Sawitzki F., Maeder H. // IEEE Trans. El. Dev. 1989. Vol. 10. N 7. P. 322--324
  3. Porst A. et al. ISPSD Proc. 1997. Weimar, P. 213--216
  4. Rahimo M., Shammas N. EPE'97 Proc. Trondheim, Vol. 2. P. 99--100
  5. Горбатюк А.В., Грехов И.В., Гусин Д.В. // Электротехника. 2010. N 11. С. 53--61
  6. Vobesky J., Hazdra P., Galster N., Carrol E. // Proc. 8th PEMC. Sept. 1998. Prague
  7. Hazdra P., Vobesky J., Galster N., Humbel O., Dalibor T. // Proc. ISPSD. May 2000. Toulouse, France
  8. Siemieniec R., Lutz J. // Microelectronics Journal. 2004. N 35. P. 259--269
  9. Цыплаков Е.А., Стораста Л., Рахимо М. // Тр. 2-й Междунар. специализированной конф. "Силовая электроники --- ключевая технология Российской промышленности XXI в." 2010. М. С. 54--61
  10. Грехов И.В., Костина Л.С., Козловский В.В., Ломасов В.Н., Рожков А.В. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 9. С. 105--111
  11. Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. // ФТП. Т. 24. Вып. 12. 1990. С. 2186--2190
  12. "Физические величины". Справочник под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 1170

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.