Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Проведено аналитическое и численное исследование пространственного распределения плотности энергии флуктуирующего электрического поля около поверхности модельного ионного кристалла в зависимости от его температуры. Установлено, что плотность энергии флуктуирующего поля убывает с расстоянием h от поверхности кристалла по закону h-3.3. Энергия флуктуирующего поля увеличивается с ростом температуры, и она не нулевая при -273oC из-за квантовых нулевых колебаний ионов в решетке.
- Lennard-Jones J.E., Dent B.M. // Trans. Faraday Soc. 1928. Vol. 24. P. 92
- Бордо В.Г. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. Т. 9. С. 33--38
- Борен К., Хафмен Д. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. М.: Мир, 1986. 460 с
- Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред. М.: Наука, 1985. 525 с
- Виноградов Е.А., Дорофеев И.А. Термостимулированные электромагнитные поля твердых тел. М.: Физматлит, 2010. 483 с
- Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. Т. 2, М.: Мир, 1979. 156 с
- Бараш Ю.С. Силы Ван-дер-Ваальса. М.: Наука, 1988. 284 с
- Пржибельский С.Г. // Опт. и спектр. 2006. Т. 102. С. 885--888
- Косевич А.М. Основы механики кристаллической решетки. М.: Наука, 1972. С 55
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
