Вышедшие номера
Динамика движения электронов с энергиями до нескольких тераэлектрон-вольт в ориентированных кристаллах
Бекулова И.З.1, Хоконов М.Х.1
1Кабардино-Балкарский государственный университет, Нальчик, Россия
Email: khokon6@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Изучены стохастические аспекты динамики движения электронов с энергией от 150 GeV до нескольких тераэлектрон-вольт в кристаллах кремния и германия, ориентированных главными кристаллографическими направлениями вдоль оси пучка. В расчетах учитывается влияние излучения жестких gamma-квантов на движение электронов, а также многократное рассеяние их на атомах кристалла-мишени. Рассчитаны времена жизни электронов в режиме каналирования и показано, что эта величина в точности совпадает с эффективной длиной каналирования, введенной ранее Кумаховым.