Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов
Назаренко М.В., Сибирёв Н.В., Дубровский В.Г.1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nz.phone@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Предложена самосогласованная модель роста и структуры полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК). Исследуется вопрос о кристаллической фазе ННК полупроводниковых соединений III-V. Рассчитан критический радиус перехода от гексагональной вюрцитной (WZ) структуры к кубической структуре типа цинковой обманки (ZB) в зависимости от параметров системы материалов и пересыщения газообразной среды. Представленная модель применима как для газофазной, так и для молекулярно-пучковой эпитаксии и позволяет рассчитывать вероятности образования фаз WZ и ZB при различных условиях осаждения.
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. С. 1585
- Bryllert T., Wernersson L.-E., Froberg L.E., Samuelson L. // IEEE Electron Device Letters. 2006. Vol. 27. N 5. P. 323
- Shingo H., Nobuo T., Shu S., Kyosuke M., Katsuhiko I., Hideo T., Makoto K. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 094 305
- Rerisanu S., Gouttenoire V., Vincent P., Ayari A., Choueib M., Bechelany M., Cornu D., Purcell S.T. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 165 434
- Tsakalakos L., Balch J., Fronheiser J., Korevaar B.A., Sulima O., Rand J. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 233 117
- Persson A.L., Larsson M.W., Stengstrom S., Ohlsson B.J., Samuelson L., Wallenberg L.R. // Nature Mater. 2004. Vol. 3. P. 677
- Harmand J.C., Patriarche G., Pere-Laperne N., Merat-Combes M.-N., Travers L., Glas F. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 87. P. 203 101
- Сошников И.П., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Самсоненко Ю.Б., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Горбенко О.М., Litvinov D., Gerthsen D. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2121
- Moewe M., Chuang L.C., Dubrovskii V.G., Chang-Hasnain C. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 044 313
- Dick K.A., Caroff P., Bolinsson J., Messing M.E., Johansson J., Deppert K., Wallenberg R.L., Samuelson L. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 25. P. 024 009
- Shtrikman H., Popovitz-Biro R., Kretinin A., Heiblum M. // Nano Lett. 2009. Vol. 9. P. 215
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Bouravleuv A.D., Samsonenko Yu.B., Dheeraj D.L., Zhou H.L., Sartel C., Harmand J.C., Patriarche G., Glas F. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 066 940
- Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 99. P. 146 101
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78. P. 235 301
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 8. С. 73
- Akiyama T., Sano K., Nakamura K., Ito T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. Vol. 45. P. L275
- Leitsmann R., Bechstedt B. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 063 528
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 035 414
- Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 587
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. // ФТП. 2006. Т. 40. С. 1103
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A., Cirlin G.E., Harmand J.C., Ustinov V.M. // Surf. Sci. 2007. Vol. 601. P. 4395
- Plante M.C., LaPierre R.R. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 286. P. 394
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 289. P. 31
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Soshnikov I.P., Chen W.H., Larde R., Cadel E., Pareige P., Xu T., Grandidier B., Nys J.-P., Stievenard D., Moewe M., Chuang L.C., Chang-Hasnain C. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 205 316
- Froberg L.E., Seifert W., Johansson J. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76. P. 153 401
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4. P. 89
- Гиваргизов Е.И., Чернов А.А. // Кристаллография. 1973. Т. 18. С. 147
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 16. С. 41
- Kaschiev D. Nucleation: Basic Theory with Applications. Oxford: Butterworth Heinemann, 2000
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Тимофеева М.А. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 2. С. 1267
- Glas F. // Phys. Stat. Sol. (b). 2010. Vol. 244. P. 254
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
