Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проводимость полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и переменного напряжения

Алиев К.М.¹, Камилов И.К.¹, Ибрагимов Х.О.¹, Абакарова Н.С.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 27 апреля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты экспериментального исследования влияния высокочастотного сигнала большой амплитуды на поведение статических вольт-амперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых диодов серийного производства с p-n-переходом. Обнаружены S-образные участки на прямых ветвях ВАХ, наблюдаемые в широком интервале частот, а также колоколообразный участок на обратных ветвях ВАХ, величина и расположение которого по оси напряжений существенно зависят от частоты переменного сигнала.

Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 11. С. 1399
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 1. С. 42
Aliev K.M., Kamilov I.K., Ibragimov Kh.O., Acakarova N.S. // Solid State Commun. 2008. Vol. 148. P. 171
Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 4. С. 517
Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 448 с
Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высш. шк., 1991. 351 с
Камилов И.К., Алиев К.М., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 4. С. 25
Mantegna R.N., Spagnola B. // Phys. Rev. E. 1994. Vol. 49. P. R 1792
Анищенко В.С., Нейман А.Б., Мосс Ф., Шиманский-Гейер Л. // УФН. 1999. Т. 169. С. 7
Шёлль Э. Самоорганизация в полупроводниках. М.: Мир, 1991. 464 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель