Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кристаллизация beta-SiC в тонких слоях SiC_x (x=0.03-1.4), синтезированных многократной имплантацией ионов углерода в кремний

Бейсенханов Н.Б.¹

¹Физико-технический институт, Алматы, Казахстан Institute of Physics and Technology, Almaty, Kazakhstan

Email: beisen@sci.kz

Поступила в редакцию: 18 мая 2010 г.

Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

PDF версия

Методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC_1.4, SiC_0.95, SiC_0.7, SiC_0.4, SiC_0.12 и SiC_0.03, полученных многократной высокодозовой имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV в кремний. Рассматривается влияние распада углеродных и углеродно-кремниевых кластеров на формирование тетраэдрических связей Si-C и процессы кристаллизации в слоях кремния с высокой и низкой концентрацией углерода.

Theodossiu E., Baumann H., Polychroniadis E.K., Bethge K. // Nucl. Insturm. and Meth. B. 2000. Vol. 161. P. 941--945
Chen D., Wong S.P., Yang S., Mo D. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 426. P. 1--7
Borders J.A., Picraux S.T., Beezhold W. // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18 (11). P. 509--511
Баранова Е.К., Демаков К.Д., Старинин К.В., Стрельцов Л.Н., Хайбуллин И.Б. // Докл. АН СССР. 1971. Т. 200. С. 869--870
Герасименко Н.Н., Кузнецов О.Н., Лежейко Л.В., Любопытова Е.В., Смирнов Л.С., Эдельман Ф.Л. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3. Вып. 5. С. 467--468
Akimchenko I.P., Kisseleva K.V., Krasnopevtsev V.V., Milyutin Yu.V., Touryansky A.G., Vavilov V.S. // Radiation Effects. 1977. Vol. 33. P. 75--80
Kimura T., Kagiyama Sh., Yugo Sh. // Thin Solid Films. 1984. Vol. 122. P. 165--172
Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Мордвинова Ю.А. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 3. С. 531--535
Nussupov K.Kh., Sigle V.O., Beisenkhanov N.B. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1993. Vol. 82. P. 69--79
Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Tokbakov J. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1995. Vol. 103. P. 161--174
Calcagno L., Compagnini G., Foti G., Grimaldi M.G., Musumeci P. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 121--124.
Нусупов К.Х. Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превращения. Автореферат дис. д-ра физ.-мат. наук. М.: ФИАН им. П.Н. Лебедева, 1996. 43 с
Zaytouni M., Riviere J.P., Denanot M.F., Allain J. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 287. Iss. 1--2. P. 1--7
Wong S.P., Chen Dihu, Ho L.C., Yan H., Kwok R.W.M. // Nucl. Insturm. and Meth. B. 1998. Vol. 140. P. 70--74
Brink D.J., Camassel J., Malherbe J.B. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 449 (1--2). P. 73--79
Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., Dmitrieva E.A., Zhumagaliuly D., Shilenko E.A. // Phys. Solid State. 2006. Vol. 48 (7). P. 1255--1267
Wan Y.Z., Xiong G.Y., Song F., Luo H.L., Huang Y., He F., Guo L.B., Wang Y.L. // Surface Rev. and Lett. 2007. Vol. 14 (06). P. 1103--1106
Guo L.B., Wang Y.L., Song F., He F., Huang Y., Yan L.H., Wan Y.Z. // Materials Lett. 2007. Vol. 61 (19--20). P. 4083--4085
Sari A.H., Ghorbani S., Dorranian D., Azadfar P., Hojabri A.R., Ghoranneviss M. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 255 (5). Pt 1. P. 2180--2184
Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., Mit' K.A., Mukhamedshina D.M., Dmitrieva E.A. // J. Materials Sci.: Materials in Electronics. 2008. Vol. 19. P. 254--262
Акимченко И.П., Каздаев Х.Р., Каменских И.А., Краснопевцев В.В. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 2. С. 375--378
Srikanth K., Chu M., Ashok S., Nguyen N., Vedam K. // Thin Solid Films. 1988. Vol. 163. P. 323--329
Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоиздат, 1985. 245 с
Gibbons J.F., Johnson W.S., Hylroic S.W. // Projected Range Statistics. Dowden, Stroudsburg, PA, 1975. Pt 1. P. 93
Mandal S., Seal A., Dalui S.K., Dey A.K., Ghatak S., Mukhopadhyay A.K. // Bull. Mater. Sci. 2001. Vol. 24. N 2. P. 121--124.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель