"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Резонансная доменная фоторефрактивность в структуре жидкий кристалл-фотопроводящий ориентирующий слой
Агашков А.В.1
1Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Белоруссии, Минск, Белоруссия
Email: agashkov@inel.bas-net.by
Поступила в редакцию: 6 октября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Исследованы фоторефрактивные свойства нематических жидкокристаллических ячеек с фотопроводящими ориентирующими слоями. Предложен новый механизм, основанный на резонансном взаимодействии переходных и квазистационарных доменных структур с оптическим интерференционным плоем. При выполнении условий резонанса получено увеличение дифракционной эффективности решеток на два порядка.
  • Yeh P. Introduction to photorefractive nonlinear optics. NY: Wiley Interscience, 1993. 410 p
  • Janossy I., Kosa T. // Opt. Lett. 1992. Vol. 17. P. 1183--1185
  • Руденко Е.В., Сухов А.В. // Письма в ЖЭТФ. 1994. Т. 59. N 2. С. 133--136
  • Руденко Е.В., Сухов А.В. // ЖЭТФ. 1994. Т. 105. N 6. С. 1621--1634
  • Khoo I.C., Li H., Liang Y. // Opt. Lett. 1994. Vol. 19. P. 1723--1725
  • Khoo I.C. // IEEE J. Quant. Electron. 1996. Vol. 32. P. 525--534
  • Khoo I.C. // Opt. Lett. 1995. Vol. 20. P. 2137--2139
  • Khoo I.C., Guenther B.D., Wood M.V., Chen P., Shih M.Y. // Opt. Lett. 1997. Vol. 22. P. 1229--1231
  • Miniewicz A., Bartkiewicz S., Kajzar F. // Nonlinear Opt. 1998. Vol. 19. P. 157--175
  • Zhang J., Ostroverkhov V., Singer K.D., Reshetnyak V., Reznikov Yu. // Opt. Lett. 2000. Vol. 25. N 6. P. 414--416
  • Klysubun P., Indebetouw G. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 3. P. 897--903
  • Kaczmarek M., Shih M.Y., Cudney R.S., Khoo I.C. // IEEE J. Quant. Electron. 2002. Vol. 38. N 5. P. 451--457
  • Lee W., Wang Y.L. // J. Phys. D. 2002. Vol. 35. P. 850--853
  • Lee W., Hsiao K.C. // Appl. Phys. B. 2004. Vol. 78. N 3--4. P. 377--380
  • Song L., Lee W.K., Wang X. // Opt. Exp. 2006. Vol. 14. N 6. P. 2197--2202
  • Lucchetti L., Gentili M., Simoni F. // Opt. Exp. 2006. Vol. 14. N 6. P. 2236--2241
  • Khoo I.C. // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1996. Vol. 282. P. 53--66
  • Zhang G., Montemezzani G., Gunter P. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 4. P. 1709--1717
  • Parka J. // Opto-Electron. Rev. 2002. Vol. 10. N 1. P. 83--87
  • Klysubun P., Indebetouw G. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 3. P. 897--903
  • Ono H., Shimokawa H., Emoto A., Kawatsuki N. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. N 1. P. 23--30
  • Agashkov A., Parka J., Serak S., Davidovich T. // Proc. SPIE. 2001. Vol. 4418. P. 54--59
  • Agashkov A., Serak S., Parka J. // Proc. SPIE. 2002. Vol. 4759. P. 343--349
  • Agashkov A.V., Kovalev A.A., Serak S.V., Parka J. // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2002. Vol. 375. P. 269--280
  • Agashkov A.V., Kovalev A.A., Parka J. // Opto-Electron. Rev. 2004. Vol. 12. N 3. P. 271--275
  • Boichuk V., Kucheev S., Parka J., Reshetnyak V., Reznikov Yu., Shiyanovskaya I., Singer K.D., Slussarenko S. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. N 12. P. 5963--5967
  • Agashkov A.V., Kovalev A.A., Parka J. // Opto-Electron. Rev. 2009. Vol. 17. N 2. P. 99--104
  • Kim H.-W., Min W., Jung S., Yoon C.-S., Kim J.-D. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. Vol. 42. Pt 2. N 1A/B. P. L44--L47
  • Korneichuk P., Reznikov Yu., Tereshchenko O., Reshetnyak V. // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2004. Vol. 422. P. 27--36
  • Mysliwiec J., Miniewicz A., Bartkiewicz S. // Opto-Electron. Rev. 2002. Vol. 10. N 1. P. 53--58
  • Lee W., Chen H.-Y., Yeh S.-L. // Opt. Exp. 2002. Vol. 10. N 11. P. 482--487
  • Agashkov A., Kovalev A., Parka J. // Proc. SPIE. 2005. Vol. 5947. P. 257--265
  • Блинов Л.М. Электро- и магнитооптика жидких кристаллов. М.: Наука, 1978. 384 с
  • Agashkov A.V., Kovalev A.V., Parka J. // Proc. SPIE. 2007. Vol. 6725. P. 672 511
  • Агашков А.В., Ковалев А.А., Парка Я. // Опт. и спектр. 2005. Т. 98. N 6. С. 1021--1026
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.