"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях роста пленок высшего силицида марганца на кремнии
Орехов А.С., Камилов Т.С., Гаибов А.Г., Вахабов К.И., Клечковская В.В.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Выращивались пленки слицида марганца на кремнии в условиях диффузионного легирования кремния из парогазовой фазы в равновесных и неравновесных условиях в зависимости от весовых значений лигатуры. Выявлены некоторые особенности динамики их формирования.
  • Zhang L., Ivey D. // J. Mater. Sci. 1991. Vol. 2. P. 116
  • Bost M.C., Mahan J.E. // J. Electron Mater. 1987. Vol. 16. P. 389
  • Eizenberg M., Tu K.N. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 6885
  • Sundstrom K.E., Peterson S., Tove P.A. // Phys. Status Solidi. A. 1973. Vol. 20. P. 653
  • Wang J., Hirai M., Kusaka M., Iwami M. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 113/114. P. 53
  • Krontiras Ch., Pomoni K., Roilos M. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 21. P. 509
  • Lian Y.C., Chen L.J. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. P. 359
  • Mogilatenko A. Electron Microscopy Characterzation of Manganese Silicide Layers on Silicon. Ph. D. Thesis. Chemnitz: TU Chemnitz, 2003. 134.p
  • Kamilov T.S., Uzokov A.A., Kabilov D.K. et al. // Proc. 22nd Int. Conf. on Thermoelectrics. France, 2003. P. 388
  • Kamilov T.S., Kabilov D.K., Samiev I.S. et al. // Proc. 24th Int. Conf. on Thermoelectrics. Clemson, SC, USA, 2005. P. 415
  • Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 8. С. 140
  • Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб: Изд-во "Лань", 2001. 272 с
  • Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1974. 400 с
  • Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута и др. М.: Мир, 1982. 389 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.