Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2006, выпуск 12 » Статья стр. 61
<<<>>>
Корреляция люминесцентных свойств с изменением характера структурной организации в сверхрешетках AlGaN/GaN после имплантации ионов эрбия и отжига
Баранов Е.Е., Емельянов А.М., Лундин В.В., Петров В.Н., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Соболев Н.А., Титков А.Н., Шек Е.И., Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2006 г.
PDF версия
Проведены сравнительные исследования эволюции характера структурной организации (ХСО) сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, и их фотолюминесцентных (ФЛ) свойств после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV, дозой 3·1015 cm-2 и отжига. Характер структурной организации оценивался количественно с помощью параметра Delta (степень нарушения локальной симметрии), который определялся путем обработки с помощью мультифрактального анализа данных исследования морфологии поверхности структур методами атомно-силовой микроскопии. Показано, что имплантция сопровождается не только выделением Ga на поверхности, но и изменением ХСО, проявляющимся в появлении более мелкой по сравнению с исходной зернистой структуры и в разупорядочении, а также в росте Delta. С ростом температуры отжига от 700 до 800oC наблюдаются снижение Delta, свидетельствующее об улучшении ХСО, и увеличение интенсивности доминирующего пика (1.542 mum) ФЛ ионов Er3+. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 1050oC сопровождается ухудшением ХСО, укрупнением доменов, формированием пустот глубиной до 100-200 nm и падением интенсивности ФЛ. На образование пустот в процессе высокотемпературного отжига также указывают данные метода рассеяния протонов с энергией 230 keV. Таким образом, установлено, что улучшение характера структурной организации СР способствует активации эрбия и росту интенсивности люминесценции ионов эрбия. PACS: 81.05.-t, 78.55.-m
  1. Sobolev N.A., Emel'yanov A.M., Sakharov V.I. et al. // Physica B. 2003. Vol. 340--342. P. 1108
  2. Zegrya G.G., Masterov V.F. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 23. P. 3444
  3. Polkovnikov A., Zegrya G.G. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. N 7. P. 1
  4. Shmidt N.M.,Besyulkin A.I., Kartashova A.P. et al. // Phys. Stat. Sol. C. 2005. Vol. 2. N 2. P. 837
  5. Aliev G., Besyul'kin A.N., Davies J. et al. // Phys. Stat. Sol. C. 2002. V. 0. N 1. P. 558
  6. Krestnikov I.I., Lundin W.V., Sakharov A.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 9. P. 1192
  7. Kolmakov A.G., Dunaevsky M.S., Emtsev V.V. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 2001. N 169. P. 341
  8. Ankudinov A.V., Besyulkin A.I., Kolmakov A.G. et al. // Physica B. 2003. Vol. 340--342. P. 462
  9. Сресели О.М., Горячев Д.Н., Осипов В.Ю., и др. // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 5. С. 604
  10. Hogg S.M., Pipeleers B., Swart M. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 23. P. 4363
  11. Mills Al. // The advanced semiconductor magazine. 2001. Vol. 11. N 5. P. 28

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme