Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние анизотропии на термоупругие напряжения в цилиндрических кристаллах оксида галлия, выращиваемых из расплава
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: s.bakholdin@mail.ioffe.ru, evgalakt@mail.ru, V.Krymov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 11 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
Исследование термических напряжений в кристаллах, выращиваемых из расплава, имеет большое значение для оптимизации режимов роста. Появление новых перспективных материалов, таких как оксид галлия, требует проведения расчетов напряжений с учетом анизотропии тепловых и упругих свойств материала. Проведено исследование влияния анизотропии на распределение термоупругих напряжений в тонких кристаллических стержнях оксида галлия. Приведены приближенные формулы для компонент тензора напряжений, полученные с помощью асимптотического интегрирования уравнений термоупругости с учетом прямолинейной анизотропии общего вида. Проведено сравнение величин напряжений для двух направлений выращивания. Показано, что выбор ориентации направления выращивания позволяет управлять величиной и распределением термоупругих напряжений, возникающих в кристаллах оксида галлия при их выращивании из расплава. Ключевые слова: термоупругие напряжения, асимптотический метод, анизотропия тепловых и упругих свойств.
- Z. Galazka, S. Ganschow, K. Irmschera, D. Klimm, M. Albrecht, R. Schewski, M. Petsch, T.Schulz, A. Dittmar, A. Kwasnievwski, R. Grueneberg, S.B. Anooz, A. Popp, U. Juda, I.M. Hanke, Th. Schroeder, M. Bickermann. Progr. Crystal Growth Character. Mater., 67 (1), 100511 (2021). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
- Z. Galazka, K. Irmscher, R. Uecker, R. Bertram, M. Pietsch, A. Kwasniewski, M. Naumann, T. Schulz, R. Schewski, D. Klimm, M. Bickermann. J. Crystal Growth, 404, 184 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.07.021
- Z. Galazka. J. Appl. Phys., 131, 031103 (2022). DOI: 10.1063/5.0076962
- J. D. Blevins, K. Stevens, A. Lindsey, G. Foundos, L. Sande. IEEE Transactions on Semicond. Manufacturing, 32 (4), 466 (2019). DOI: 10.1109/TSM.2019.2944526
- W. Mu, Z. Jia, Y. Yin, B. Fu, J. Zhang, J. Zhanga, X Tao. Cryst. Eng. Comm., 21, 2762 (2019). DOI: 10.1039/C8CE02189A
- W. Miller, K. Bottcher, Z. Galazka, J. Schreuer. Crystals, 7(1), 26 (2017). DOI: 10.3390/cryst7010026
- D. Wu, N. Xia, K. Ma, J. Wang, Ch. Li, Z. Jin, H. Zhang, D. Yang. Crystals, 12 (12), 1715 (2022). DOI: 10.3390/cryst12121715
- X. Tang, B. Liu, Y. Yu, Sh. Liu, B. Gao. Crystals, 11 (1), 25 (2021). DOI: 10.3390/cryst11010025
- P.I. Antonov, S.I. Bakholdin, E.V. Galaktionov, E.V. Tropp, S.P. Nikanorov. J. Crystal Growth, 52 (1), 404 (1981). DOI: 10.1016/0022-0248(81)90226-8
- И.Е. Зино, Э.А. Тропп. Асимптотические метолы в задачах теории теплопроводности и термоупругости (Изд-во ЛГУ, Л., 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
