Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния
Бахадирханов М.К.1, Исамов С.Б.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: bahazeb@yandex.ru, sobir-i@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 23 апреля 2021 г.
Принята к печати: 28 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.
С формированием бинарных элементарных ячеек на основе элементов AII и BVI, AIII и BV в приповерхностной области кремния была получена гетероваризонная структура, не разрушающая кристаллическую структуру, без поверхностных состояний толщиной около 5 μm. Полученная гетероваризонная структура обладает особыми фундаментальными параметрами, обеспечивающими поглощение света в широком интервале солнечного спектра от УФ до ИК излучения с λ=0.1-3 μm, т. е. охватывает весь спектр Солнца. Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, солнечный элемент, гетероваризонная структура, фотовольтаика, соединения AII и BVI, AIII и BV.
- X. Ru, M. Qu, J. Wang, T. Ruan, M. Yang, F. Peng, W. Long, K. Zheng, H. Yan, X. Xu. Solar Energy Mater. Solar Cells, 215, 110643 (2020)
- M.A. Green, E.D. Dunlop, D.H. Levi, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, A.W.Y. Ho-Baillie. Progr. Photovoltaics: Res. Applicat., 27, 565 (2019)
- V.A. Milichko, A.S. Shalin, I.S. Mukhin, A.E. Kovrov, A.A. Krasilin, A.V. Vinogradov, P.A. Belov, C.R. Simovski. Phys. Usp., 59 (8), 727 (2016)
- Ж.И. Алфёров, Избранные труды. Нанотехнологии (Магистр-пресс, М., 2013)
- A. Louwen, W. Sark, R.Schropp, A. Faaij. Solar Energy Mater. Solar Cells, 147, 295 (2016)
- M. Yamaguchi, K.H. Lee1, K. Araki, N. Kojima. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 133002 (2018)
- S. Abdul Hadi, E.A. Fitzgerald, S. Griffiths, A. Nayfeh. J. Renewable Sustainable Energy, 10, 015905 (2018)
- М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скачков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко. ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.07.47802.438-18
- K. Chen, R. Kapadia, A. Harker, S. Desai, J.S. Kang, S. Chuang, M. Tosun, C.M. Sutter-Fella, M. Tsang, Y. Zeng, D. Kiriya, J. Hazra, S.R. Madhvapathy, M. Hettick, Yu-Ze Chen, J. Mastandrea, M. Amani, S. Cabrini, Yu-Lun Chueh, J.W. Ager III, D.C. Chrzan, A. Javey. Nature Commun., 7, 10502 (2016). DOI: 10.1038/ncomms10502
- Н.Д. Гудков. ЖТФ, 63 (5), 105 (1993)
- C.-X. Zhao, Y. Huang, J.-Q. Wang, C.-Y. Niu, Y. Jia. Phys. Lett. A. 383, 125903 (2019)
- M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, D. Melibayev, Tuerdi Wumaier, S.V.Koveshnikov, K.A. Khodjanepesov, Jiangxiang Zhan. J. Mater. Sci. Chem. Eng., 6, 180 (2018). DOI: 10.4236/msce.2018.64017
- M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, K.U. Kamalov. Appl. Sol. Energy, 50 (2), 61 (2014)
- M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, T. Wumaier, Mater. Phys. Chem., 1, 89 (2019)
- S. Adachi. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors (England: John Wiley \& Sons Ltd, 2005)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Наука, Л., 1972)
- D.V. Saparov, M.S. Saidov, A.S. Saidov. Appl. Solar Energy. 52 (3), 236 (2016)
- A.S. Saidov, M.S. Saidov, Sh.N. Usmonov, K.T. Kholikov, D. Saparov. Appl. Solar Energy, 43 (3), 183 (2007)
- S. Haridoss, F. Beni\`ere, M. Gauneau, A. Rupert. J. Appl. Phys., 51 (11), 5833 (1980)
- Y. Sato, I. Sakaguchi, H. Haneda. Jpn. J. Appl. Phys., 43 (12), 8024 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.