Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.14.55221.99-21 
Бахадырханов М.К.
1, Кенжаев З.Т.
1, Турекеев Х.С.1, Исаков Б.О.1, Усмонов А.А.1
1Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан 
Email: bahazeb@yandex.com, zoir1991@bk.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 17 апреля 2021 г.
Принята к печати: 18 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.
Изучено влияние легирования никелем на параметры кремниевых фотоэлементов, в которых p-n-переход создавался примесями III (B, Ga) и V (P, Sb) групп. Показано, что положительное влияние никеля на эффективность фотоэлемента не зависит от типа исходного кремния и от природы примесей, использующихся для получения p-n-перехода, а определяется преимущественно геттерирующими свойствами приповерхностного обогащенного никелем слоя. Ключевые слова: фотоэлемент, кремний, никель, термоотжиг, кластеры, время жизни, геттерирования, рекомбинационные центры.
- M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, Kh.F. Zikrillayev, G.A. Ikhtiyarova. Appl. Solar Energy, 56 (1), 13 (2020). DOI: 10.3103/S0003701X2001003X
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев. ЖТФ, 91 (6), 979 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51529.99-21
- J. Lindroos, D.P. Fenning, D.J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, T. Buonassisi. J. Appl. Phys., 113, 204906 (2013). DOI: 10.1063/1.4807799
- И.В. Бажин, О.А. Лещева, И.Я. Никифоров. ФТТ, 48 (4), 726 (2006)
- M.K. Bakhadyrkhanov, B.K. Ismaylov, S.A. Tachilin, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev. SPQEO, 23 (4), 361 (2020)
- С.Л. Гафнер, Л.В. Редель, Ж.В. Головенько, Ю.Я. Гафнер, В.М. Самсонов, С.С. Харечкин. Письма в ЖЭТФ, 89 (7), 425 (2009)
- В.М. Самсонов, И.В. Талызин, М.В. Самсонов. ЖТФ, 86 (6), 149 (2016)
- V.L. Mazalova, O.V. Farberovich, A.V. Soldatov. J. Phys.: Conf. Series, 640, 012025 (2015). DOI:10.1088/1742-6596/640/1/012025
- Sh. Hashimoto, R. Yokogawa, Sh. Oba, Sh. Asada, T. Xu, M. Tomita, A. Ogura, T. Matsukawa, M. Masahara, T. Watanabe. J. Аppl. Phys., 122, 144305 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4999195
- А.С. Астащенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Доклады БГУИР, 8 (38), 37 (2008)
- H. Long, H. Long, Sh. Mao, Y. Liu, Z. Zhang, X. Han. J. Alloys Compounds, 743, 203 (2018). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.01.224
- D.J. Fisher. Diffusion in Silicon. 10 Years of Research (Scitec Publications., 2010)
- V.V. Hung, P.T.T. Hong, B.V. Khue. Proc. Natl. Conf. Theor. Phys., 35, 73 (2010)
- В.И. Орлов, Н.А. Ярыкин, Е.Б. Якимов. ФТП, 53 (4), 433 (2019)
- И.Б. Чистохин, К.Б. Фрицлер. Письма в ЖТФ, 46 (21), 11 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51529.99-21
- В.В. Тогатов, П.А. Гнатюк. ФТП, 39 (3), 378 (2005)
- V.L. Mazalova, O.V. Farberovich1, A.V. Soldatov. J. Phys.: Conf. Series, 640, 012025 (2015). DOI:10.1088/1742-6596/640/1/012025
- M.I. Hossain, A.K. Mahmud Hasan, W. Qarony, Md. Shahiduzzaman, M.A. Islam, Y. Ishikawa, Y. Uraoka, N. Amin, Di. Knipp, Md. Akhtaruzzaman, Y.H. Tsang. Small Methods, 20, 2000454 (2020). DOI: 10.1002/smtd.202000454
- А.С. Кондратьева, С.Е. Александров. ЖПХ, 9 (89), 1108 (2016)
- A. Alberti, C. Bongiorno, C. Mocuta, T. Metzger, C. Spinella, E. Rimini. J. Appl. Phys., 105, 093506 (2009). DOI: 10.1063/1.3122140
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
