Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 920
<<<>>>
Стабильность полевой эмиссии одиночной углеродной нанотрубки
DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46026.2447
Переводная версия: 10.1134/S1063784218060099
Булярский С.В.1, Дудин А.А.1, Лакалин А.В.1,2, Орлов А.П.1, Павлов А.А.1, Рязанов Р.М.3, Шаманаев А.А.3
1Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
3Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Зеленоград, Москва, Россия
Email: a.v.lakalin@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Экспериментально наблюдался разогрев одиночной многостенной углеродной нанотрубки при протекании через нее тока полевой эмиссии и появление термоэмиссионной составляющей. Нагрев нанотрубки при протекании тока происходит в результате выделения джоулевой теплоты на ее последовательном сопротивлении. Из решения уравнения теплопроводности была сделана оценка величины температуры перегрева эмитирующего конца. Установлены условия устойчивости полевой эмиссии и возникновения термополевой эмиссии.
  1. Булярский С.В. Углеродные нанотрубки. Технология. Управление свойствами. Применение. Ульяновск: Стрежень, 2011. 479 с
  2. Chernozatonskii L.A., Gulyaev Y.V., Kosakovskaja Z.J., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Zakharchenko Yu.F., Fedorov E.A., Val'chuk V.P. // Chem. Phys. Lett. 1995. Vol. 233. P. 63--68
  3. De Heer W.A., Chatelain A., Ugarte D. // Science. 1995. Vol. 270. P. 1179--1180
  4. Rinzler A.G., Hafner J.H., Nikolaev P., Nordlander P., Colbert D.T., Smalley R.E., Lou L., Kim S.G. // Science. 1995. Vol. 269. P. 1550--1553
  5. Wang Q.H., Yan M., Chang R.P.H. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 1294--1296
  6. Mauger M., Vu T.V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2006. Vol. 24. P. 997--1003
  7. Reyes-Mena A., Jensen Ch., Bard E., Turner D., Erdmann K.G. // Adv. in X-ray Analys. 2005. Vol. 48. P. 204--209
  8. Matsumoto T., Mimura H. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. P. 1637--1639
  9. Saito Y., Uemura S., Hamaguchi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. L346--L348
  10. Croci M., Arfaoui I., Stockli T., Chatelain A., Bonard J.-M. // Microelectron. J. 2004. Vol. 35. P. 329--336
  11. Yasutomo Y., Ohue W., Gotoh Y, Tsuji H. // IEEE International Meeting Future of Electron Devices. Kansai, 2012
  12. Sabaut L., Ponard P., Mazellier J.-P., Legagneux P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2016. Vol. 34. P. 2
  13. Yuan X., Zhu W., Zhang Y., Xu N., Yan Y., Wu J., Shen Y., Chen J., She J. // Sci. Rep. 6. 2016. Art. num. 32936
  14. Paoloni C., Carlo A., Brunetti F., Mineo M. // Terahertz Sci. Technol. 2011. Vol. 4., N 4. P. 1102--1110
  15. Rupesinghe N.L., Chhowalla M., Teo K.B.K., Amaratunga G.A.J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. P. 1071--1076
  16. Eletskii A.V. // Adv. Phys. Sci. 2010. Vol. 53. P. 863--892
  17. Bocharov G.S., Eletskii A.V. // Nanomaterials. 2013. Vol. 3. P. 393--442
  18. Murphy E.L., Good R.H. // Phys. Rev. 1956. Vol. 102. N 6. P. 1464--1473
  19. Mayer A., Lambin Ph. // Carbon. 2002. Vol. 40. P. 429--436
  20. Sun J.P., Zhang Z.X., Hou S.M., Zhang G.M. // Appl. Phys. A. 2002. Vol. 75. P. 479--483
  21. Vincent P., Purcell S.T., Journe C., Binh V.T. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 075406
  22. Vul' A.Ya., Reich K., Eidelman E., Terranova M.L., Ciorba A., Orlanducci S., Sessa V., Rossi M. // Adv. Sci. Lett. 2010. Vol. 3. N 2. P. 110--116
  23. Бабенко А.Ю., Дидейкин А.Т., Эйдельман Е.Д. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 2. С. 410--414
  24. Лакалин А.В., Павлов А.А., Шаманаев А.А. // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. Вып. 1. С. 14--20
  25. Бочаров Г.С., Елецкий А.В. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 4. С. 107--112
  26. Бочаров Г.С., Елецкий А.В., Sommerer T.J. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 4. С. 111--116
  27. Займан Дж. Электроны и фононы. М.: Изд-во иностранной литературы, 1962. 488 с. ( Ziman J.M. Electrons and phonons. Oxford Clarendon press, 1960)
  28. Hone J., Llaguno M.C., Biercuk M.J., Johnson A.T., Batlogg B., Benes Z., Fischer J.E. // Appl. Phys. A. 2002. Vol. 74. P. 339--343.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme