Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 926
<<<>>>
Влияние толщины пленки Pt на процессы роста зерен при ее отжиге
DOI: 10.21883/JTF.2018.06.46027.2526
Переводная версия: 10.1134/S106378421806018X
Селюков Р.В.1, Наумов В.В. 1, Васильев С.В.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: rvselyukov@mail.ru, vvnau@rambler.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Пленки Pt с толщиной h=20-100 nm, нанесенные на окисленную пластину c-Si (100), подвергались отжигу в вакууме в режиме 500oC/1 h, в результате которого произошли рекристаллизация и рост зерен. Одновременно с нормальным наблюдался и аномальный рост, что привело к разделению зерен на фракции, соответственно, обычных и вторичных зерен. Для h=20-40 nm вторичные зерна становятся заметно крупнее обычных, поэтому распределение латеральных размеров зерен становится бимодальным. Найдено, что скорость аномального роста латеральных размеров зерен увеличивается с уменьшением h, тогда как скорость нормального роста не зависит от h. С помощью анализа профилей рентгенодифракционных максимумов Pt(111) и Pt(222) найдено, что в результате отжига средний размер областей когерентного рассеяния D увеличивается. Для пленок, подвергнутых отжигу, D сублинейно увеличивается с ростом h, тогда как для исходных пленок наблюдается линейный рост D.
  1. Izyumskaya N., Alivov Y.-I., Cho S.-J., Morcoc H., Lee H., Kang Y.-S. // Crit. Rev. Sol. State. 2007. Vol. 32. N 3--4. P. 111--202. doi: 10.1080/10408430701707347
  2. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Васильев В.А., Сигов А.С. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 7. С. 1268--1271. (Vorotilov K.A., Zhigalina O.M., Vasil'ev V.A., Sigov A.S. // Phys. Sol. State. 2009. Vol. 51. N 7. P. 1337--1340. doi: 10.1134/S106378340907004X)
  3. Hong J., Song H.W., Lee H.C., Lee W.J., No K. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. N 4. P. 1962--1967. doi: 10.1063/1.1385358
  4. Matsumiya M., Shin W., Izu N., Murayama N. // Sens. Act. B. 2003. Vol. 93. N 1--3. P. 309--315. doi: 10.1016/S0925-4005(03)00223-5
  5. Ali M., Cimalla V., Lebedev V., Romanusa H., Tilak V., Merfeld D., Sandvik P., Ambacher O. // Sens. Act. B. 2006. Vol. 113. N 2. P. 797--804. doi: 10.1016/j.snb.2005.03.019
  6. Huang Z., Zhou W., Tang X. // Appl. Surf. Sci. 2010. Vol. 256. N 5. P. 2025--2030. doi: 10.1016/j.apsusc.2009.09.042
  7. Resnik D., Vrtacnik D., Mozek M., Pecar B., Amon S. // J. Micromech. Microeng. 2011. Vol. 21. N 2. P. 025025. doi: 10.1088/0960-1317/21/2/025025
  8. Thompson C.V. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 2. P. 763--772. doi: 10.1063/1.336194
  9. Wong C.C., Smith H.I., Thompson C.V. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. N 5. P. 335--337. doi: 10.1063/1.96543
  10. Gruber W, Baehtz C., Horisberger M., Ratschinski I., Schmidt H. // Appl. Surf. Sci. 2016. Vol. 368. P. 341--347. doi: 10.1016/j.apsusc.2016.02.015
  11. Ruffino F., Grimaldi M.G., Bongiorno C., Giannazzo F., Roccaforte F., Raineri V., Spinella C. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. N 5. P. 054311. doi: 10.1063/1.3093681
  12. Brongersma S.H., Richard E., Vervoort I., Bender H., Vandervorst W., Lagrange S., Beyer G., Maex K. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. N 7. P. 3642--3645. doi: 10.1063/1.371272
  13. Lingk C., Gross M.E., Brown W.L. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 5. P. 2232--2236. doi: 10.1063/1.372166
  14. Платина, ее сплавы и композиционные материалы / Под ред. Е.В. Васильевой. М.: Металлургия, 1980. 296 с
  15. Dannenberg R., Stach E.A., Groza J.R., Dresser B.J. // Thin Sol. Films. 2000. Vol. 370. P. 54--62. doi: 10.1016/S0040-6090(99)00947-5
  16. Briand D., Heimgartner S., Leboeuf M., Dadras M., de Rooij N.F. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. Vol. 729. U. 2.5. doi: 10.1557/PROC-729-U2.5
  17. Dai C.-L., Xiao F.-Y., Lee C.-Y., Cheng Y.-C., Chang P.-Z., Chang S.-H. // Mater. Sci. Eng. A. 2004. Vol. 384. N 1--2. P. 57--63. doi: 10.1016/j.msea.2004.05.067
  18. Yu H.Z., Thompson C.V. // Acta Materialia. 2014. Vol. 67. P. 189--198. doi: 10.1016/j.actamat.2013.12.031
  19. Jeffries J.H., Zuo J.-K., Craig M.M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. N 26. P. 4931--4934. doi: 10.1103/PhysRevLett.76.4931
  20. Salvadori M.C., Melo L.L., Cattani M., Monteiro O.R., Brown I.G. // Surf. Rev. Lett. 2003. Vol. 10. N 01. P. 1--5. doi: 10.1142/S0218625X03004561
  21. Salvadori M.C., Brown I.G., Vaz A.R., Melo L.L.. Cattani M. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. N 15. P. 153404. doi: 10.1103/PhysRevB.67.153404
  22. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с
  23. Ruland W. // J. Appl. Cryst. 1968. Vol. 1. N 2. P. 90--101. doi: 10.1107/S0021889868005066
  24. Schoening F.R.L. // Acta Cryst. 1965. Vol. 18. N 5. P. 975--976. doi: 10.1107/S0365110X65002335

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme