"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
Шиляев А.В.1, Мынбаев К.Д.1,2, Баженов Н.Л.1, Грешнов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: vozzdooh@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Экспериментально исследована фотолюминесценция эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов CdHgTe и установлено наличие в структурах масштабных флуктуаций состава, локализующих носители заряда. Предложена модель, описывающая влияние флуктуаций на скорость излучательной рекомбинации, форму спектров люминесценции и положение их пика. Модель описывает транспорт и рекомбинацию носителей в условиях сильной неоднородности состава твердого раствора и показывает, как локализация носителей проявляется в особенностях спектров люминесценции. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44249.1832
  • Mattheis J., Rau U., Werner J.H. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 11. P. 113519
  • Grundmann M., Dietrich C.P. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. N 12. P. 123521
  • Li Q., Xu S.J., Xie M.H., Tong S.Y. // J. Phys. Cond. Matter. 2005. Vol. 17. N 30. P. 4853--4858
  • Schubert E.F., Gobel E.O., Horikoshi Y., Ploog K., Quiesser H.J. // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 30. N 2. P. 813--820
  • Клочихин А., Резницкий А., Тенишев Л., Пермогоров С., Иванов С., Сорокин С., Муманис Х., Сейсян Р., Клингширн С. // Письма ЖЭТФ. 2000. Т. 71. Вып. 6. С. 348--353
  • Lei W., Antoszewski J., Faraone L. // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2. N 4. P. 041303
  • Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. // ФТП. 2001. Т. 35. Bып. 9. С. 1092--1101
  • Ivanov-Omskii V.I., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. // Phys. Stat. Sol. B. 2009. Vol. 246. N 8. P. 185--186
  • Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Иванов-Омский В.И., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сорочкин А.В., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 7. С. 900--907
  • Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Ремесник В.Г., Варавин В.С. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 10. С. 147--150
  • Ижнин И.И., Ижнин А.И., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Фицыч Е.И., Якушев М.В., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 2. С. 207--211
  • Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 379--384
  • Becker C.R., Latussek V., Pfeuffer-Jeschke A., Landwehr G., Molenkamp L.W. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. N 15. Art. 10353
  • Tomm J.W., Herrmann K.H., Yunovich A.E. // Phys. Stat. Sol. A. 1990. Vol. 122. N 1. P. 11--42
  • Fuchs F., Koidl P. // Semicond. Sci. Technol. 1991. Vol. 6. N 12C. P. C71--C75
  • Lusson A., Fuchs F., Marfaing Y. // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 101. N 1--4. P. 673--677
  • Gille P., Herrmann K.H., Puhlmann N., Schenk M., Tomm J.W., Werner L. // J. Cryst. Growth. 1988. Vol. 86. N 1--4. P. 593--598
  • Барановский С.Д., Эфрос А.Л. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 11. С. 2233--2237
  • Oudjaout D., Marfaing Y. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. N 17. P. 12096--12105
  • Stringfellow G.B. // J. Cryst. Growth. 2010. Vol. 312. N 6. P. 735--749
  • Шевченко Е.А., Жмерик В.Н., Мизеров А.М., Ситникова А.А., Иванов С.В., Торопов А.А. // ФТП. 2012. T. 46. Вып. 8. C. 1022--1026
  • Liao Y., Kao C., Thomidis C., Moldawer A., Woodward J., Bhattarai D., Moustakas T.D. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. Vol. 9. N 3--4. P. 798--801
  • Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. // Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб.: Изд-во ПИЯФ РАН, 1997. 376 с
  • Krishnamurthy S., Berding M., Yu Z.G. // J. Electron. Mater. 2006. Vol. 35. N 6. P. 1369--1378
  • Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. // Физ. мех. матер. 2014. Т. 21. Вып. 1. С. 112--118
  • De S., Layek A., Raja A., Kadir A., Gokhale M.R., Bhattacharya A., Dhar S., Chowdhury A. // Adv. Function. Mater. 2011. Vol. 21. P. 38283835
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.