"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние обработки поверхности в BCl3 плазме на формирование омических контактов к структурам AlGaN/GaN
Андрианов Н.А.1, Кобелев А.А.2, Смирнов А.С.2, Барсуков Ю.В.3, Жуков Ю.М.4
1ЗАО Светлана Рост, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Самсунг Электроникс, Самсунг Электроникс 1, Хуасон, Кенкидо, Южная Корея
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrianov.nickolai@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Установлен режим обработки поверхности верхнего прикрывающего слоя GaN ( cap-слой) в AlGaN/GaN HEMT структурах плазмой BCl3, позволяющий существенно снижать сопротивление омических контактов на структурах полевых транзисторов на основе нитридов III группы. Достигнутый результат объясняется главным образом эффективным уменьшением потенциального барьера на поверхности GaN за счет образования вакансий азота (донорные центры) и соответственно за счет роста поверхностной концентрации электронов. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44248.1793
  1. Pearton S.J., Zolper J.C., Shul R.J., Ren F. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. P. 1
  2. Khan M.A., Bhattarai A.R., Kuznia J.N., Olson D.T. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63. P. 1214
  3. Tilak V., Matocha K., Sandvik P. // Phys. Stat. Sol. C. 2005. Vol. 2. N 7. P. 2555-2558
  4. Mishra U.K., Shen L., Kazior T., Wu Y.E. // Proc. IEEE. 2008. Vol. 96. P. 287
  5. Khan M.A., Shur M.S., Chen Q. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 3022
  6. Fay M.W. et al. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. P. 965 588
  7. Fujishima T., Joglekar S., Piedra D., Lee H.S., Zhang Yu., Uedono A., Palacios T. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. N 083508. P. 1-3
  8. Kobelev A.A., Barsukov Yu.V., Andrianov N.A., Smirnov A.S. // J. Phys.: Conf. Series. 2015. Vol. 586. N 012013. P. 1-4
  9. Shul R.J., Mc Clellan G.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. P. 8
  10. Shul R.J., Mc Clellan G.B. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. Vol. 15. P. 3
  11. Buttari D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 4779
  12. Wang L., Mohammed F.M., Adesida I. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 013702. P. 1-10
  13. Sun J., Rickert K.A., Redwing J.M., Ellis A.B., Himpsel F.J., Kuech T.F. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. N 4. P. 415-417
  14. Logan R.A., Thurmond C.D. // J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. P. 1727
  15. Higashiwaki M., Chowdhury S., Swenson B.L, Mishra U.K. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 222 104
  16. Deepak S., Mohammed F.M., Jeong-Oun B., Adesida I. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. Vol. 23. N 6. P. 2538
  17. Blauer J., Farber M. // J. Chem. Phys. 1963. Vol. 39. N 1. P. 158-160

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.