Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние обработки поверхности в BCl3 плазме на формирование омических контактов к структурам AlGaN/GaN
1ЗАО Светлана Рост, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Самсунг Электроникс, Самсунг Электроникс 1, Хуасон, Кенкидо, Южная Корея
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Самсунг Электроникс, Самсунг Электроникс 1, Хуасон, Кенкидо, Южная Корея
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrianov.nickolai@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Установлен режим обработки поверхности верхнего прикрывающего слоя GaN ( cap-слой) в AlGaN/GaN HEMT структурах плазмой BCl3, позволяющий существенно снижать сопротивление омических контактов на структурах полевых транзисторов на основе нитридов III группы. Достигнутый результат объясняется главным образом эффективным уменьшением потенциального барьера на поверхности GaN за счет образования вакансий азота (донорные центры) и соответственно за счет роста поверхностной концентрации электронов. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44248.1793
- Pearton S.J., Zolper J.C., Shul R.J., Ren F. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. P. 1
- Khan M.A., Bhattarai A.R., Kuznia J.N., Olson D.T. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63. P. 1214
- Tilak V., Matocha K., Sandvik P. // Phys. Stat. Sol. C. 2005. Vol. 2. N 7. P. 2555-2558
- Mishra U.K., Shen L., Kazior T., Wu Y.E. // Proc. IEEE. 2008. Vol. 96. P. 287
- Khan M.A., Shur M.S., Chen Q. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 3022
- Fay M.W. et al. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. P. 965 588
- Fujishima T., Joglekar S., Piedra D., Lee H.S., Zhang Yu., Uedono A., Palacios T. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. N 083508. P. 1-3
- Kobelev A.A., Barsukov Yu.V., Andrianov N.A., Smirnov A.S. // J. Phys.: Conf. Series. 2015. Vol. 586. N 012013. P. 1-4
- Shul R.J., Mc Clellan G.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. P. 8
- Shul R.J., Mc Clellan G.B. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. Vol. 15. P. 3
- Buttari D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. P. 4779
- Wang L., Mohammed F.M., Adesida I. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 013702. P. 1-10
- Sun J., Rickert K.A., Redwing J.M., Ellis A.B., Himpsel F.J., Kuech T.F. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. N 4. P. 415-417
- Logan R.A., Thurmond C.D. // J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. P. 1727
- Higashiwaki M., Chowdhury S., Swenson B.L, Mishra U.K. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 222 104
- Deepak S., Mohammed F.M., Jeong-Oun B., Adesida I. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. Vol. 23. N 6. P. 2538
- Blauer J., Farber M. // J. Chem. Phys. 1963. Vol. 39. N 1. P. 158-160
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
