"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si1-xGex в методе Si-GeH4 молекулярно-пучковой эпитаксии
Орлов Л.К.1,2, Ивин С.В.2, Фомин В.М.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
3Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Изучена стационарная кинетика роста слоев Si1-xGex в одном из вариантов гибридного метода молекулярно-лучевой эпитаксии с источником молекулярного германа и сублимирующим бруском кремния. Показано, что в ростовой кинетике нельзя игнорировать ни процессы захвата эпитаксиальной поверхностью радикалов молекул гидридов, ни их последующий распад. Сопоставление экспериментальных данных с результатами кинетического анализа показало совпадение результатов модели с результатами проводимых экспериментов. При низких давлениях германа PGeH4<0.5 mTorr характер ростового процесса полностью определяется особенностями взаимодействия молекулярного пучка моногидрида Ge с ростовой поверхностью. Влияние атомарного пучка Ge c Si-источника начинает проявляться лишь при давлениях германа выше 1 mTorr. В этих условиях потоки атомов Ge и Si с сублимирующего источника Si выравниваются, а концентрация молекул гермила на поверхности достигает насыщения. Наблюдаемое увеличение параметра nuGeH3 связано с активирующим влиянием на распад молекул потока атомов кремния с сублимирующего источника. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44250.1925
  1. Halpin J.E., Rhead St.D., Sanchez A.M., Myronov M., Leadley D.R. // Semicond. Sci. Technol. 2015. Vol. 30. P. 114009
  2. Hartmann J.M., Bogumilowicz Y., Andrieu F., Holliger P., Rolland G., Billon T. // J. Cryst. Growth. 2005. Vol. 277. P. 114--123
  3. Zhang J., Neave J.H., Li X.B., Fewster P.F., El Mubarek H.A.W., Ashburn P., Mitrovic I.Z., Buiu O., Hall S. // J. Cryst. Growth. 2005. Vol. 278. P. 505--511
  4. Kim H.W., Choi S., Hong S., Jung H.K., Lee G.D., Yoon E., Kim C.S. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 221902
  5. Greve D.W. // Mater. Sci. Engineer. 1993. Vol. N18. P. 22--51
  6. Wu Y.M., Nix R.M. // Surf. Sci. 1994. Vol. 306. N 1, 2. P. 59--68
  7. Thiesen J., Iwaniczko E., Jones K.M., Mahan A., Crandall R. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 7. P. 992--994
  8. Орлов Л.К., Потапов А.В., Ивин С.В. // ЖТФ. 2000. T. 70. N 6. C. 102--107
  9. Толомасов В.А., Орлов Л.К., Потапов А.В., Светлов С.П., Дроздов Ю.Н., Гудкова А.Д., Рубцова Р.А., Корнаухов А.В. // Кристаллография. 1998. T. 43. N 3. C. 535--540
  10. Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров Д.В. // Вакуумная техника и технология. 2011. Т. 21. N 1. С. 45--48
  11. Potapov A.V., Orlov L.K., Ivin S.V. // Th. Sol. Film. 1999. Vol. 336. N 1, 2. P. 191--195
  12. Орлов Л.К., Ивин С.В. // ЖОХ. 2015. Т. 85. N 12. C. 1951--1965
  13. Orlov L.K., Horvath Zs.J., Ivina N.L., Vdovin V.I., Steinman E.A., Orlov M.L., Romanov Yu.A. // Opto-Electron. Rev. 2003. Vol. 11. N 2. P. 169--174
  14. Cunningham B., Chu J.O., Akbar S. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59. N 27. P. 3574--3576
  15. Kim K.J., Suemitsu M., Yamanaka M., Miyamoto N. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. N 26. P. 3461--3463
  16. Taylor N., Kim H., Desjardins P., Foo Y.L., Greene J.E. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. N 20. P. 2853--2855
  17. Орлов Л.К., Ивин С.В. // Химическая физика. 2016. Т. 35. N 3. C. 36--48
  18. Rauscher H., Braun J., Behm R. // Appl. Phys. 2003. Vol. A76. P. 711--719
  19. Robbins D.J., Glasper J.L., Cullis A.G., Leong W.J. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 6. P. 3729--3732
  20. Vinh L.T., Aubry-Fortuna V., Zheng Y., Bouchier D., Guedj C., Hincelin G. // Th. Sol. Film. 1997. Vol. 294. P. 59--63

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.