Вышедшие номера
Гигантский эффект Фарадея в 2D-супракристаллах в сравнении с графеном
Браже Р.А.1, Литвиненко М.В.1
1Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Email: brazhe@ulstu.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Показано, что в отличие от эпитаксиального графена на карбиде кремния, угол гигантского фарадеевского вращения в однослойном графене на диэлектрической подложке путем допирования затворным напряжением может быть доведен до нескольких радиан. Использование 2D-супракристаллов требует больших, чем графен, значений индукции магнитного поля, но позволяет сдвинуть эффект в сторону больших частот проходящего через образец электромагнитного излучения.
  1. Grassee I., Levallois J., Walter A.L., Oster M., Bostwick A., Rotenberg E., Seyller T., van der Marel D., Kuzmenko A.B. // arXiv: 1007.5286v1
  2. Martinez J.C., Jalil M.B.A. // EPL. 2011. Vol. 96. P. 2708
  3. Fialkovsky I.V., Vassilevich D.V. // arXiv: 1203.4603v1
  4. Fallahi A., Perruisseau-Carrier J. // arXiv: 1211.0400v1
  5. Ubrig N., Grassee I., Levallois J., Nedoliuk I.O., Fromm F., Kaiser M., Seyller T., Kuzmenko A.B. // Opt. Express. 2013. Vol. 21. P. 2436
  6. Balaban A.T., Rentia C.C., Ciupitu E. // Rev. Roum. Chim. 1968. Vol. 13. P. 231--233
  7. Balaban A.T. // Comput. Matt. Applic. 1989. Vol. 17. P. 397
  8. Беленков Е.А., Грешняков В.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 8. С. 1640--1650
  9. Подливаев А.И., Опенов Л.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 12. С. 2464--2467
  10. Terrones H., Terrones M., Hernandez E., Grobert N., Charlier J.-C., Ajayan P.M. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 1716
  11. Лисенков С.В., Виноградов Т.А., Астахова Т.Ю., Лебедев Н.Г. // ФТТ. 2006. Т. 48. Вып. 1. С. 179--184
  12. Liu H., Neal A.T., Zhu Zh., Tomanek D., Ye P.D. // arXiv: 1401. 4133
  13. Браже Р.А., Каренин А.А. Изв. вузов. Поволжский регион. Физ.-мат. науки. 2011. N 2 (18). С. 105--112
  14. Браже Р.А. Физика супракристаллов. Ульяновск: УлГТУ, 2012. 162 с
  15. Zhou S.Y., Gweon G.-H., Fedorov A.V., First P.N., de Heer W.A., Lee D.-H., Guinea F., Castro Neto A.H., Lanzara A. // arXiv: 0709.1706v2
  16. Mattausch A., Pankratov O. // Phys. Stat. Sol. B. 2008. N 7. P. 1425--1435
  17. Давыдов С.Ю. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 8. С. 1102--1108
  18. Давыдов С.Ю. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 97--106
  19. Давыдов С.Ю. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 4. С. 155--158
  20. Алисултанов З.З. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 13. С. 32--37
  21. Давыдов С.Ю. // ФТТ. 2014. Т. 56. Вып. 4. С. 816--820
  22. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Zhang Y., Grigorieva I.V., Firsov A.A. // Science. 2004. Vol. 306. N 5696. P. 666--669
  23. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Katsnelson M.I., Grigorieva I.V., Dubonos S.V., Firsov A.A. // Nature. 2005. Vol. 438. P. 197--200
  24. Morozov S.V., Novoselov K.S., Katsnelson M.I., Schedin F., Elias D.C., Jaszczak J.A., Geim A.K. // Phys. Rev. Lett. 2008. Vol. 100. P. 016 602
  25. Морозов С.В. // УФН. 2012. Т. 182. N 4. С. 437--442
  26. Enyashin A.N., Ivanovskii A.L. // Phys. Stat. Sol. B. 2011. Vol. 248. P. 1879--1883
  27. Fang T., Konar A., Xing H., Jena D. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 092 109
  28. Борисенко С.И. Физика полупроводниковых наноструктур: учебное пособие. Томск: Изд-во Томского политех. ун-та, 2010. 115 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.