Вышедшие номера
Формирование серебряных фрактальных структур в ионообменных стеклах при полинге
Брунков П.Н., Липовский А.А., Мелехин В.Г., Редьков А.В., Стаценко В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: lipovskii@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

В ионообменных стеклах, содержащих ионы серебра, при воздействии постоянного электрического поля и температуры (термический полинг стекла) наблюдалось образование фрактальных структур серебра в приповерхностной области стекла, обращенной к катоду. Рост структур характеризуется случайным ветвлением и отсутствием самопересечений, при этом основная часть фрактала находится в стекле, а некоторые концы его ветвей выходят на поверхность. В качестве одного из приложений полученных данным способом подложек с фрактальными структурами приведены их SERS (Surface Enhanced Raman Scattering) --- активные свойства с использованием красителя Rhodamine 6G.
  1. Myers R.A., Mukherjee N., Brueck S.R. // Opt. Lett. 1991. V. 16. P. 1732-1734
  2. Qiu M., Pi F., Orriols G., Bibiche M.// J. Opt. Soc. Am. B. 1998. V. 15. N 4. P. 1362--1365
  3. Garcia F.C., Caralho I.C.S., Hering E., Margulis W., Lesche B. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 25. P. 3252--3254
  4. de Vekey R.C., Majumdar A.J. // Nature. 1970. Vol. 225. P. 172--173
  5. An H., Fleming S. // J. Opt. Soc. Am. B. 2006. Vol. 23. N 11. P. 2303--2309
  6. Lepienski C.M., Giacometti J.A., Leal Ferreira G.F., Freire F.L.Jr., Achete C.A. // J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol. 159. N 3. P. 204--212
  7. Izava T., Nakagome H. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 21. N 12. P. 584--586
  8. Margulis W., Laurell F. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. N 17. P. 2418--2420
  9. Ramaswamy R.V., Srivastava R. // J. Lightwave Technol. 1988. V. 6. N 6. P. 984--1002
  10. Takagi H., Miyazava Shin-ichi Takahashi M., Maeda R. // Appl. Phys. Express. 2008. Vol. 1. 0240031
  11. Брунков П.Н., Гончаров В.В., Липовский А.А., Мелехин В.Г., Петров М.И. // Письма в ЖТФ. 2008. T. 34. Вып. 23. С. 73--80 (Tech. Phys. Lett. 2008. V. 34. N 12. P. 1030--1033)
  12. Lipovskii A.A., Melehin V.G., Petrov M.I., Svirko Yu.P. Lithography: Principles, Processes and Materials / Ed. T.C. Hennesy. NY: Nova Science Publisher Inc., 2011. Ch. 6. P. 149--163
  13. Doi A., Asakura N. // J. Mater. Sci. 2001. V. 36. P. 3897--3901
  14. Ye W., Shen C., Tian J., Wang C., Hue C., Gao H. // Solid. State. Science. 2009. V. 11. N 6. P. 1088--1093
  15. Pavlovic L.J., Pavlovic M.G., Pavlovic M.M., Nikolic M.D., Tomic M.V. // Int. J. Electrochem. Sci. 2011. Vol. 6. P. 6741--6750
  16. Mullins W.W., Sekerka R.F. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N 2. P. 323--329
  17. Kessler D.A., Koplik J., Levine H. // Adv. Phys. 1988. V. 37. N 3. P. 255--339
  18. Witten T.A., Sander L.M. // Phys. Rev. Lett. 1981. Vol. 47. N 19. P. 1400--1403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.