Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO3
Гущина Е.В., Дунаевский М.С., Алексеев П.А., Durv gun Ozben E., Макаренко И.В., Титков А.Н.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Методом микроскопии Кельвин-зонд изучалось поведение зарядов, локально инжектированных из зонда атомно-силового микроскопа в нанотонкие пленки high-k диэлектрика SmScO3, осажденные на подложку кремния. Предварительно пленки отжигались при разных температурах; выше 900oС в аморфных пленках наблюдалось формирование поликристаллических включений. Для пленок, отожженных при 900oC, наблюдалось длительное время сохранения инжектированного заряда, в десятки раз превышающее соответствующие времена для традиционных приборных диэлектриков SiO2 и Si3N4. Также оказалась резко замедленной и диффузия носителей в плоскости диэлектрических слоев.
- Перевалов Т.В., Гриценко В.А. и др. // УФН. 2010. Т. 180. N 6
- Christen et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 262 906
- Алексеев П.А., Дунаевский М.С. и др. // ПЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 9. С. 47--55
- Durv gun Ozben E, Lopes J.M.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 052 902
- Marcelo Lopesa J., Durv gun Ozbenb E. et al. // ECS Transaction. 2011. Vol. 35 (4). P. 461--479
- Buh G.H., Chung H.J., Kuk Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 2010
- www.ntmdt.ru
- Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A. et al. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 084 304 (9 p.)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
