Исследование углеводородной пленки, формирующейся на поверхности полупроводника под действием электронного пучка
Местер А.Ю.1, Трофимов А.Н.1, Заморянская М.В.1, Дьяконов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mesteralex@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Проведены исследования скорости формирования углеводородной пленки на поверхности образцов под действием электронного пучка. Исследования проводились при комнатной температуре и при охлаждении образца до температуры жидкого азота. Проводились измерения толщины и пропускание оптического излучения пленок в зависимости от времени облучения образца электронным пучком, температуры образца и уровня вакуума. Измерение толщины образовавшихся пленок проводилось методом атомно-силовой микроскопии. Поглощение пленок определялось на основании сравнения интенсивности катодолюминесценции, полученной с "чистой" поверхности образца и с поверхности, на которой образовалась пленка. Проведенные измерения позволили оценить скорость образования пленки в зависимости от температуры образца и уровня вакуума и поглощение оптического излучения для длин волн 300, 360, 550 и 665 nm.
- Кузнецова. Я.В. Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN. ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2013. 70 с
- Заморянская М.В., Конников С.Г., Заморянский А.Н. // Приборы и техника эксперимента. 2004. N 4. С. 62--69
- Kuznetsova Ya.V., Zamoryanskaya M.V. // Sol. Stat. Phenom. Vol. 205--206. P. 435
- Toth M., Fleisher K., Phillips M.R. // MRS Internet J.N.S.R. 1998. Vol. 537. P. G3 30
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
