Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии
Демарина Н.В.1, Оболенский С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.runnet.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии.
- Fawsett W., Boardman D.A., Swain S.J. // Phys. Chem. Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963--1990
- Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев, 1979. 332 с
- Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988. 192 с
- Ruch J.G., Fawsett W.J. // Appl. Phys. 1970. Vol. 41. P. 3843--3849
- Ланг Д. // Точечные дефекты в твердых телах / Под ред. Б.И. Болтакса. М., 1979. 379 с
- Коноплева Р.Ф., Питвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М., 1971. 176 с
- Кладько В.П., Пляцко В.П. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 261--263
- Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Physica B: Condens. Matter. 1995. Vol. 212. P. 429--435
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991. 632 с
- Оболенский С.В., Китаев М.А. // ПЖТФ. 2000. Т. 26. С. 13--16
- Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 413--420
- Оболенский С.В., Китаев М.А. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. С. 7--12
- Зулиг Р. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. 500 с
- Demarina N.V., Obolensky S.V. // Microelectronics Reliability. 1999. Vol. 39. P. 1247--1263
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
