Влияние термоэлектронной эмиссии на поглощение ультракоротких лазерных импульсов в полупроводниках
Лобзенко П.В.1, Евтушенко Н.А.1, Новиков В.А.1, Иришин Р.Г.1
1Ростовский военный институт ракетных войск, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Рассмотрено взаимодействие интенсивных ультракоротких лазерных импульсов с поверхностью полупроводника с учетом влияния термоэлектронной эмиссии на динамику температур электронной и ионной подсистем полупроводниковой среды. Определены параметры и условия короткоимпульсных воздействий, при которых необходимо учитывать данное явление. Численно реализована полученная расчетная схема, позволяющая решить задачу в трехмерной постановке.
- Гусев В.Э. // Квантовая электрон. 1984. Т. 11. N 11. С. 2197--2209
- Аванесян С.М., Гусев В.Э. // Квантовая электрон. 1986. Т. 13. N 6. С. 1241--1249
- Горбунов Е.В., Евтушенко Н.А., Лобзенко П.В., Сизов В.П. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 4. С. 179--184
- Горбунов Е.В. // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 5. С. 132--137
- Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. 270 с
- Делоне Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. М.: Наука, 1989. 280 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Учебное пособие для вузов. М.: Наука, 1990. 688 с
- Самарский А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1989. 616 с
- Пайерис Р. Квантовая теория твердых тел. М.: Наука, 1956. 326 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук