Механизм нанооксидирования n-In0.53Ga0.47As с помощью атомно-силового микроскопа
Поступила в редакцию: 24 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Показана окисная природа образования линий при АСМ модификации слоя InGaAs на InP с согласованным параметром решетки. Рассмотрены различные модели механизма АСМ нанооксидирования InGaAs. Традиционная модель Кабрера-Мотта с наведенным пространственным зарядом внутри оксида предложена в качестве базовой модели АСМ нанооксидирования.
- Avouris P.H., Hertel T., Martel R. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 285--287
- Jorgensen P.J. // J. Chem. Phys. 1962. Vol. 37. P. 874--877
- Ejiri Y., Yasutake M., Hattori T. // Solid State Devices and Materials. Intern. Conf. 1993. P. 606--608
- Dagata J.A., Schneir J., Harary H.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 2001--2003
- Dagata J.A., Schneir J., Harary H.H. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1991. Vol. B9. P. 1384--1388
- Sugimura H., Kitamura N., Masuhara H. // Jap. J. Appl. Phys. Pt 2. 1994. Vol. 33. P. L143--L145
- Ligenza J.R. // J. Appl. Phys. 1965. Vol. 36. P. 2703--2707
- Palik E.D., Glembocki O.J., Heard J., Jr. // J. Electron. Chem. Soc. 1987. Vol. 134. P. 404--409
- Glembocki O.J., Stelkbush R.E. // J. Electron. Chem. Soc. 1985. Vol. 132. P. 145--150
- Sugimura H., Uchida T., Kitamura N. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. N 2. P. L553--L555
- Teuschler T., Mahr K., Miyazaki S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. P. 3144--3146
- Cabrera N., Mott N.F. // Rep. Prog. Phys. 1949. Vol. 12. P. 163--184
- Wang D., Tsau L., Wang K.L. et al. // Appl. Phys. Lett (USA) 1995. Vol. 67. N 9. P. 1295--1297
- Sugimura H., Uchida T., Kitamura N. et al. // J. Phys. Chem. 1994. Vol. 98. P. 4352--4357
- Соколов Д.В. // Научное приборостроение. 2001. Т. 11. N 1. С. 15--21
- Hasegawa H., Hartnagel H.L. // J. Electrochem. Soc. (USA) 1976. Vol. 123. N 5. P. 713--723
- Okada Y., Amano S., Kawabe M. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 4. P. 1844--1847
- Matsuzaki Y., Yuasa K., Shirakashi J. et al. // J. Crystal Growth. 1999. Vol. 201/202. P. 656--659
- Ishii M., Matsumoto K. // Ext. Abs. Intern. Conf. Solid State Dev. and Mater. 1995. P. 953--955
- Held R., Vancura T., Heinzel T. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 2. P. 262--264
- Stievenard D., Fontaine P.A., Dubois E. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. P. 3272--3274
- Dagata J.A., Inoue T., Itoh J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 2. P. 271--273
- Matsumoto K., Gotoh Y., Maeda T. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. N 18. P. 477--479
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
