Вышедшие номера
Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур
Гольдберг Ю.А.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Изучалось изменение характеристик емкость--напряжение (C-U) и ток--напряжение (If-U и Ir-U) структур полупроводник--твердый металл (GaAs--Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре TOhm=720 K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур, отожженных при различных температурах Tann и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при Tann<T0=553 K; при Tann>T0 на этих характеристиках наблюдались избыточные токи, и, наконец, при увеличении Tann на 200--300 K по сравнению с T0 характеристики полностью переходили в омические. Предполагается, что эти явления связаны с химическим взаимодействием Ni и GaAs, что приводит к изменению поверхностных свойств полупроводника.
  1. Родерик Э.Х. // Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с
  2. Kupta P.K., Anderson W.A. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. P. 3623--3631
  3. Mochida N., Honda T., Shirasawa T. et al. // J. Cryst. Growth. 1997. Vol. 129/130. P. 716--719
  4. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 8. С. 1510--1513
  5. Гольдберг Ю.А., Ильина М.В., Поссе Е.А., Царенков Б.В. // ФТП. 1988. Т. 22. Вып. 3. С. 555--558
  6. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 2. С. 200-202
  7. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В., Шульга М.И. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 3. С. 439--443
  8. Божков В.Г., Заводчиков В.М., Солдатенко К.В. и др. // Электронная техника. Полупроводниковые приборы. 1978. Сер. 2 (7). С. 41--50
  9. Lahav F., Eizenberg M. Komem Y. // J. Appl. Phys. 1986. Vol. 60. P. 991--1001

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.