Оптическая нелинейность в тонких пленках при низкой интенсивности света
Хомченко А.В.1, Глазунов Е.В.1
1Институт прикладной оптики НАН Белоруссии, Могилев, Белоруссия
Email: ipo@physics.belpak.mogilev.by
Поступила в редакцию: 2 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Волноводными методами исследована оптическая нелинейность в полупроводниковых и диэлектрических тонкопленочных структурах в условиях самовоздействия при интенсивности света менее 0.1 W/cm2 на длине волны излучения 630 nm. Обнаружены общие тенденции в зависимости оптических свойств от интенсивности света для полупроводниковых и диэлектрических пленок, многослойных тонкопленочных структур и пленок из стекол, легированных полупроводниками. Показано, что характер оптической нелинейности и значения нелинейных оптических постоянных определяются состоянием границ раздела фаз.
- Гиббс Х. Оптическая бистабильность: Управление светом с помощью света. Пер. с англ. / Под ред. Ф.В. Карпушко. М.: Мир, 1988. 520 с
- Хаус Х. Волны и поля в оптоэлектронике. Пер. с англ. Под ред. К.Ф. Шипилова. М.: Мир, 1988, 432 с
- Редько В.П., Романенко А.А., Сотский А.Б., Хомченко А.В. / Патент РФ. N 2022247. БИ. 1994. N 20. 184 с
- Сотский А.Б., Романенко А.А., Хомченко А.В., Примак И.У. // РиЭ. электрон. 1999. Т. 44. N 5. С. 1--9
- Сотский А.Б., Хомченко А.В., Сотская Л.И. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 16. С. 49--54
- Сотский А.Б., Хомченко А.В., Сотская Л.И. // Опт. и спектр. 1995. Т. 78. N 3. С. 502--511
- Виноградов А.Ю., Сморгонская Э.А., Шифрин Е.И. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 7. С. 642--645
- Хомченко А.В. // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 9. С. 60--63
- Геворкян С.Ш., Никоноров Н.В. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. Вып. 13. С 32--36
- Gaponenko S.V. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystal. Cambridge, 1998. 245 p
- Khomchenko A.V., Red'ko V.P. // Guides-Wave Optics. Proc. SPIE. 1993. Vol. 1932. P. 14--23
- Хансперджер Р. Интегральная оптика. Теория и технология. М.: Мир, 1985. 384 с
- Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. 536 с
- Физика гидрогенезированного аморфного кремния. Вып. 2. Электронные и колебательные свойства / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. 448 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 670 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук