Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 58
<<<>>>
InAs/InAsSbP светоизлучающие структуры, выращенные методом газофазной эпитаксии
Гребенщикова Е.А.1, Зотова Н.В.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
Методом газофазной эпитаксии из металлоoрганических соединений изготовлены светодиоды на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP, работающие в диапазоне длин волн 3.3 mum. Внешний квантовый выход диодов составлял 0.7%. В лазерных диодах получено стимулированное излучение на длине волны 3.04 mum при T=77 K.
  1. Rothman L.S., Gamache R.R., Tipping R.H. et al. // J. Quant. Spectr. Rad. Transfer. 1992. Vol. 48. P. 469--507
  2. Feit Z., Kostyk D., Woods R.J., Mak P. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58 (4). P. 343--345
  3. Hadji E., Bleuse J., Magnea N., Pautrat J.L. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67 (18). P. 2591--2593
  4. Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 1. С. 102--105
  5. Попов А.А., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 21. С. 24--31
  6. Parry M.K., Krier A. // Electron. Lett. 1994. Vol. 30 (23). P. 1968--1969
  7. Stein A., Puttjer D., Behres A., Heime K. // IEE Proc. Optoelectron. 1998. Vol. 145 (5). P. 257--260
  8. Grieteus B., Nemeth S., Borghs G. // Intern. Conf. Mid-infrared Optoelectronics. Materials and devices. Lancaster (UK), 1996
  9. Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 12. С. 1462--1467
  10. Adachi S. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61 (10). P. 4869--4876
  11. Duncan W.J., Ali A.S.M., Marsh E.M., Spurdens P.C. // J. Cryst. Growth. 1994. Vol. 143. P. 155--161
  12. Аллаберенов А.А., Зотова Н.В., Наследов Д.Н., Неуймина Л.Д. // ФТП. 1970. Т. 4 (10). С. 1939--1942
  13. Есина Н.П., Зотова Н.В. // ФТП. 1980. Т. 14 (2). С. 316--322
  14. Kane M.J., Braithwaite G., Emeny M.T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76 (8). P. 943--945
  15. Jou M.J., Cherng Y.T., Jen H.R., Stringfellow G.B. // J. Cryst. Growth. 1988. Vol. 93. P. 62--69
  16. Behres A., Puttjer D., Heime K. // J. Cryst. Growth. 1998. Vol. 195. P. 373--377

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme